昆明理工大学模拟电子技术基础历期末试卷真题摘要.docVIP

昆　明　理　工　大　学 试 卷 （A） 考试科目： 考试日期： 命题教师： 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 评 分 阅卷人 一、单项选择题：(本大题共12小题，每小题2分，总计24分) 1、电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R = 4k，电位uA=1V，uB =3V，则电位uF等于（ ）。 2、电路如图所示，已知DZ正向压降为0.7V，图中与之并联的锗管正向压降为0.3V，若ui 0，则输出uo =（ ）。 3、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线是由一个固定的（ ）确定。(a) IC (c) IB (d) IE 4、已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE =6V，VB = 5.3V，VC = 0V，则该管为（ ）。 (a) PNP 型 锗 管 (b) NPN 型 锗 管 (c) PNP 型 硅 管 (d) NPN 型 硅 管 5、电路如图所示，晶体管处于（ ）。 6、已知某场效应管的输出特性曲线如图所示，此管