低损耗微波调谐电材料的研究.pdfVIP

摘 要 低损耗、可调谐的新型铁电材料可广泛应用于相控阵天线以及微波通讯系统中。 钛酸锶钡(BSTO)铁电材料因其高的调谐率，成为近年来微波调谐应用材料研究的热 点。但本身较高的介电损耗限制了在微波频段的进一步应用。 为了在保证一定调谐率的同时，有效降低钛酸锶钡 BSTO 铁电材料的介电损耗和 介电常数，我们选择在钛酸锶钡中分别掺入三种低介电损耗、低介电常数的材料 Mg SiO 、Zn SiO 和 Mg Nb O 来改性研究。具体研究了不同掺杂剂、不同配比、不 2 4 2 4 4 2 9 同烧结温度对复合陶瓷介电性能的影响。实验研究发现：三种掺杂复合均能有效降低 复合陶瓷的烧结温度、介电常数和介电损耗；其中尤以 Zn2 SiO4 掺杂的复合陶瓷损耗 降低最显著。三种掺杂均不能与钛酸锶钡形成简单的两相结构。Mg SiO 掺杂的比例 2 4 o o 范围应在50mol%(重量比约为40%) 以下，最佳烧结温度，适宜控制在1220 C ~1260 C 之间，根据具体配比不同稍有变化。同一烧结温度，复合陶瓷的介电常数随 Mg SiO 2 4 掺杂量的增加而下降；介电损耗在低掺杂时下降，掺杂量过高时会上升。Zn SiO 掺 2 4 o 杂的比例范围应在30mol%(重量比约为 30%) 以下，1170 C 为较合适的陶瓷烧结温度。 烧结温度相同时，复合陶瓷的介电损耗和介电常数随掺杂比例的增加而呈下降趋势。 不同 Mg Nb O 掺杂比例的复合陶瓷最高烧结温度变化较大；同一烧结温度时，随掺 4 2 9 杂比例的增加，复合陶瓷的介电常数和介电损耗呈下降趋势；同一掺杂比例的样品， 介电损耗和介电常数则随烧结温度的升高而降低。 本文的研究表明 Mg SiO 、Zn SiO 和 Mg Nb O 掺杂的钛酸锶钡复合陶瓷具有较 2 4 2 4 4 2 9 好的介电性能，并预计会有较好的微波调谐性。为下一步的深入研究积累数据并打下 了基础。 关键词：铁电材料 钛酸锶钡 介电常数 介电损耗 调谐率 I Abstract The improved ferroelectric materials which have the superior qualities of low dielectric loss, high tunability and excellent comprehensive dielectric performance can be widely used in phased array antenna systems and microwave communication devices as well. Ferroelectrics of barium strontium titanium oxide (