以活性碳進行半導體廠含雙氧水清洗製程廢液回收處理之研究.pdfVIP

以活性碳進行半導體廠含雙氧水清洗製程 廢液回收處理之研究 計畫主持人 李崑池 崑山科技大學環境工程系 摘 要 本研究進行以活性碳處理半導體廠清洗製程廢水及電化學電鍍製程清洗廢水中之 H O 2 2 研究。探討批次活性碳 /雙氧水系統中溶液 pH值、活性碳 (AC)劑量對水溶液中雙氧水分解反 應行為的影響；並配合雙氧水於水溶液的成分分布、活性碳 pHzpc的特性及監測系統反應過 程液相 H2O2 、氫離子氫氧根離子添加量，以更完整探討並確認系統反應機制進而建立反應動/ 力模式及反應速率式。結果發現 H O /DI及 H O /DI/AC 批式系統中反應速率常數隨溶液 pH 2 2 2 2 值增加而增加外；並發現為維持系統於固定溶液 pH值所需添加的 H+劑量亦隨溶液 pH值增 - 加而增加；去除每 mole H O所淨產生的 OH量也隨溶液 pH值增加而增加，此結果與過去學 2 2 者認同之機制有所不同，且系統中 H O的反應速率常數整體隨 HO -(離子態 H O )濃度增加 2 2 2 2 2 - 而增加，雖然 H O 反應速率常數雖然不是與 HO 濃度增加正比關係，但有其正相關性。 2 2 2 H O /DI/ AC 系統中H O的反應速率常數約為 H O /DI 系統中H O的反應速率常數的 30倍， 2 2 2 2 2 2 2 2 此說明活性碳對 H O 具催化效果。 2 2 關鍵字: 雙氧水、活性碳、含銅離子活性碳、成分分佈、反應機制 一、緒論 1-1研究緣起 半導體廠搭配H O 來進行晶片清洗的濕式清洗製程由來已久，近年來基於高製程良率、 2 2 高可靠度及高機台使用效益 (Ikeda et al., 2008)逐漸以單晶片式(single wafer type)製程機台取代 批式製程機台，但如此改變了含H O 製程廢液的特性及濃度，由批式製程清洗廢液約含100 2 2 mg/L H O低濃度清洗液提高至約含 2000 mg/L H O的單晶片式製程清洗廢液，將導致以奈米 2 2 2 2 過濾膜 (NF)/逆滲透膜(RO) 系統進行含H O廢水回收之奈米過濾膜及逆滲透膜被 H O腐蝕，進 2 2 2 2 而造成NH /HCL/H SO 等處理效率不彰的問題。 3 2 4 目前業界面臨 H O問