NaCl-KCl-NaF-SiO2熔盐体系电沉积渗硅的研究.pdfVIP

2Ol4年第 l1期 有色金属 (冶炼部分)(http：／／ysy1．bgrimm．cn) ·21 · doi：10．3969／J．issn．1007-7545．2014．11．006 NaC1一KC1一NaF—SiO2熔盐体系电沉积渗硅的研究 何小凤 ，李运刚，李智慧 (河北联合大学，河北唐山 063009) 摘要 ：在 KC1一NaCI—NaF-(SiO )熔盐体系 中，以钼为基体 ，以电沉积法得到的硅为硅源 ，在电沉积硅 的同 时进行渗硅 ，成功制备 了Mo—MoSi梯度材料 。考察了电沉积给 电方式、电流密度 、温度 、时间和脉冲形 式对沉积扩散层表面形貌 、相结构、断面厚度 以及硅含量分布 的影响。结果表 明，脉冲给 电比直流给 电 的沉积效果好 。合适 的脉冲沉积参数为 ：电流密度 750～l000A／cm 、温度 800～850℃、￡／t2一o．7～ 1．5、沉积时 间 12O～ 180min。 关键词 ：NaC1一KC1一NaF-SiO2熔盐体系；电沉积 ；Si；Mo—MoSiz梯度材料 中图分类号 ：TF111．52 2 文献标志码 ：A 文章编号 ：1007—7545(2014)l】一002l—O8 StudyofElectrodepositIhrigizinginNaCI__KCI__NaF_-Si02MoltenSalt HE Xiao—feng，LIYun—gang，LIZhi—hui (H ebeiU nitedUniversity，Tangshan063009，H ebei，China) Abstract：M o—MoSi2 gradient materialwas prepared by ihrigizing on molybdenum matrix with silicon eIectrodeDositedinKC1一NaC1一NaF一(SiO2)moltensaltassiliconsource．Theeffectsofelectroplatingmode， currentdensity，temperature，electrolyticdepositiontimeandpulseform onsurfacemicrostructure，phase structure，and depth and silicon contentdistribution ofcrosssection ofcoatingwereinvestigated．The resultsshow thatthecoatingqualityeIectrodepositedbypulseform isbetterthan thatbydirectcurrent． Theoptimum pulsedepositionparametersincludecurrentdensityof750～1000A／cm ，temperatureof 800～850℃ ，t1一 t2= 0．7～ 1．5，andelectroplatingdurationof12O～ ：180min． Keywords：NaC1一KC1一NaF—SiO2moltensalt；silicon；electrodeposition；Si；M o—M oSi2gradientmaterial 金属钼 的熔点高 ，耐磨性 、抗腐性 、电热导性 1 原料制备、仪器及方法 以及机械加工性能均较好 。在用作 高温发热元件 时 ，由于三氧化钼的挥发 ，不 能起到对元件 的保护 试验所用试剂[。]均为分析纯 。依据 FCINAK— 作用 。二硅化钼具有较好 的高温抗氧化和抗 热冲 SIO体系的初晶温度和 SiO 的溶解度 7【。“]，按 NaC1 击性 。，但在室温下较脆 、以及在高温下易蠕变 ：KC1：NaF==l：1：2(摩