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2016-02-28 发布于天津
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JournalofMaterialsScienceandEngineeringA3(6)(2013)407-414 毒 L-S H IN 6 PbS：Hg2+NanostructuresFilmsbyChemicalBath M arcialZamoraTototzintle，SalvadorRosasCastilla1RuthMeldndrezLu6vanol KarinaBarriosHem~．ndez1 ，，， JonathanGuzmfinSotarriba，Andr6sCamachoYafiez，ReyBaltazarL6pezFlores，LeslieChaltelLima and OscarPortilloMorenO1 1．FacultaddeCienciasQuimicas．BenemdritaUniversidadAut6nomadePuebla．C．UPuebla．Puebla．Pud．72001Mdxico 2．Facuhadde Cienciasde laElectr6nica．BenemitaUniversidadAut6nomade Puebla．C．U．Puebla，Puebla．Pud72001Mdxico Received：January31，2013／Accepted：February27，2013／Published：June10，2013 Abstract：ThegrowthofnanocrystallinePbSfilmsbychemicalbathdeposition (CBD1ontoglassattemperatureT=40-4-2。C，is presented in thisresearch．We reporton the modification ofstructura1．opticalnanostructuresdue to in situ Hg．doping．The morphologicalchangesofthelayerswereanalyzedusingAFM．xRDspectradisplayedpeaksat20=(26．00，30．07，43．10，51．00， 53．48)，indicatinggrowthonthezincblendeface．Thegrainsizedeterminedbyx-raysdiffractionoftheundopedsamples，wasfound - 36am whereaswiththedopedsamplewas32-23nm．Opticalabsorption，transitiondirectandindirecttheforbiddenbandgap energyfE)shiftsdisclosesashiftintherange1．45-2_4eV． Keywords：Thinfilms，nanocrystals，potentialcell，quantum confinementeffect，coordinationcomplex 1．Intr0ductiOn developed to synthesizePbS thin films，including SILARtechnique[4】，microwaveirradiation5【]，ion— Themainsourceofattentionattractedbymetaland exchangemethod[6]，chemicalbath(CB)[7，8]．In semiconductorparticleswithdiametersintherangeof