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07_04_电导和霍耳效应 —— 半导体电子论 07_04 电导和霍耳效应 1 半导体电导率 在一般电场情况下，半导体的导电服从欧姆定律 —— ?为电导率 —— 半导体中可以同时有两种载流子 —— 空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度 电流密度 平均漂移速度和外场的关系 —— 空穴和电子的迁移率 欧姆定律 电导率 电流密度 载流子漂移运动 —— 是电场加速和半导体中散射的结果 散射来自于晶格振动和杂质 —— 温度较高时，晶格振动对载流子的散射是主要的 —— 温度较低时，杂质的散射是主要的 —— 迁移率一方面决定于有效质量 ______ 加速作用 另一方面决定于散射几率 电导率 杂质激发的范围，主要是一种载流子 掺杂不同的Ge半导体 —— 导电率随温度变化 低温范围 杂质激发的载流子起主要作用 —— 载流子的数目与 掺杂的情况有关 2) 高温范围，本征激发的载流子起主要作用 —— 载流子的数目与掺杂的情况无关 3) 中间温度区间 温度升高时，导电率反而下降 —— 晶格散射作用 2 半导体的霍耳效应 半导体片置于xy平面内 —— 电流沿x方向 —— 磁场垂直于半导体片 空穴导电P型半导体 —— 载流子受到洛伦兹力 半导体片两端形成正负电荷的积累，产生静电场 达到