093171苏文佳+单晶炉炭毡及热屏对单晶硅生长影响的优化模拟.docVIP

单晶炉炭毡及热屏对单晶硅 生长影响的优化模拟 摘要：在Cz法生长太阳能级单晶硅中，对热屏和侧壁炭毡进行优化，并对优化前后的热场进行数值模拟。通过分析晶体和熔体的轴向温度分布、热屏外表面与石英坩埚内壁面之间的氩气流场以及晶体中的Von Mises应力，得出以下结论：优化后的热屏有效减少了加热器对晶体的烘烤，优化后的侧壁炭毡有效阻止了加热器向上部的热损失，因而降低了加热器功耗，并使结晶速率至少提高20％，而不增加宏观位错的发生概率。此外，还降低了SiO沉积落入熔体的概率。 关键词：单晶炉；优化；数值模拟；热屏；炭毡0 前言 直拉法（即Cz法）晶体生长是用于半导体和太阳电池单晶硅的主要生长方法。目前大多数热场设计都专注于改善铸锭质量[1-5]，然而对于太阳电池来说，最重要的是降低铸锭的成本，光伏组件50％以上的成本消耗于铸锭和晶片的生产[6]。通常有两种方法来降低成本：一是降低加热器的功耗；二是提高拉晶速度。两种方法中，提高拉速的方法更有效。拉速提高，不仅缩短了晶体生长时间，节省了功耗，而且增加了产率。但是，简单地提高拉速，会带来晶体质量的下降；拉速过快甚至可能产生多晶。因此，在提高拉速的同时，必须对晶体生长系统的热场进行优化，以保证生长出质量合格的晶体。 对于光伏产业广泛使用的单晶炉，有两种常用的方法来改进热场、提高拉速：（1）改变热屏的形状及尺寸；（2）改变侧壁隔热层的厚度。当然