半导体表面3精要.ppt

* 过去是用重掺杂工艺。 * * * * * * * * * 类似地，对于空穴少子电流： 忽略空穴少子电流 发射模型: 认为在任何温度下，由于热运动，将有一部分载流子具有足够的热运动能量克服势垒，从交界面一侧以热电子发射方式通过势垒而进入另一侧。发射-复合模型：认为在交界面处存在着晶格被强烈扰乱的一薄层，它产生许多界面态，使得以热发射方式克服了各自的势垒而达到交界面处的电子和空穴迅速复合。隧道-复合模型：在交界面处存在界面态，既考虑到隧道效应又考虑到复合作用。隧道模型：不考虑复合作用，载流子都以隧道效应方式通过势垒。 Heterojunction p-N diode Injection efficiency 实际表明： 利用异质结制作的激光器，电致发光两极管，光电探测器，应变传感器等，比用同质结制作的同类元件的性能优越。 §9.3 异质结在器件中的应用 直接利用异质结隧道势垒的隧道效应： 在多结太阳能电池中 ，隧道结形成连续的pn结之间的连接。 它们的功能作为欧姆在中间的半导体装置的电接触 。 共振隧道二极管。 隧道势垒 Below resonance At resonance Beyond resonance 负阻效应 隧穿系数随能量迅速增大。 热电子晶体管: 在热电子晶体管中作为电子注入控制的“调节器”：在热电子晶体管的基区