相变存储器精要.pptVIP

PCM存在的问题 存储密度有待进一步提高．虽然随着技术进步，相变存储器的存储密度在不断提高，但是目前各厂商量产的产品最大容量为1GB，这距离一种存储介质可以被广泛应用和普及还有较大的差距。 单位存储密度成本较高。由于大容量的相变存储器产品还没有量产，所以相变存储器的应用还不够广泛，导致相变存储器的成本不能快速降低，这在一定程度上制约了相变存储器的应用和普及。 耐写能力相比DRAM和磁盘不足。目前相变存储器的耐写能力为108～ 1012次，按照平均使用频率计算使用寿命大约为3年，这相比DRAM和磁盘的1015次写寿命有着较大的差距。 年份 个人/公司 发展/进展 1962 A. David Pearson et al. AsTeI存在两个稳定的可逆电阻状态 1968 S.R.Ovshinsky 相变阈值转换 1970 R.G.Neale et al. 256 bit相变存储器 1972 J. Feinleib et al. 可逆光存储器 1973 IEEE电子器件二月特刊 非晶态半导体器件 1978 R.R.Shanks et al. 1024 bit双极存储器 1990 松下公司（Panasonic） R/W 相变光盘驱动器 1999 Tyler Lowrey、Ward Parkinson与能量转换器件公司 成立Ovonyx公司 英国宇航系统公司 与Ovonyx签署奥弗辛斯基统一存储器授权协议 2000 英特尔与Ovonyx公司 英特尔投资Ovonyx Ovonyx将OUM技术授权英特尔 意法半导体与Ovonyx 公司 Ovonyx将OUM技术授权意法半导体，成立联合开发项目 年份 个人/公司 发展/进展 2003 三星公司 在VLSI会议上发表了第一篇关于相变技术的文章 日立（Hitachi）公司 在IEDM会议上发表了第一篇关于相变技术的文章 2004 三星公司 full-scale相变存储器将在2006年进行量产 2005 飞利浦（Philips）公司 在自然材料四月期刊上发表第一篇 关于相变随机存储器的文章 IBM、英飞凌（Infineon）和旺宏（Macronix） 公司 启动关于相变存储器的联合研究计划 三星公司 512 Mb相变存储器将在2008年问世 2007 三星公司 量产90 nm工艺制程的512 Mb芯片 英特尔公司 90 nm工艺制程的128 Mb相变存储器样片 于下半年进行量产 2008 恒忆（Numonyx）公司 90 nm工艺制程的128 Mb相变存储器芯片 年份 个人/公司 发展/进展 2009 三星公司 量产容量为512 Mb的相变随机存储器 恒忆与英特尔公司 堆栈多层PCM阵列的64 Mb测试芯片 2010 恒忆公司 Omneo系列PRAM，最大容量为128 Mb 2011 三星公司 58 nm工艺制程的1 Gbit相变存储器 2012 三星公司 20 nm工艺制程的8 Gbit相变存储器 Thank you for your time！ 2.a 工作原理 忆阻器： 1971年，美国加州大学伯克利分校教授蔡少棠预言了忆阻器的存在。 一种有记忆功能的非线性电阻。 通过控制电流的变化可以改变其阻值，如果，把高阻定义为“1”，低阻值定义为“0”，则这种电阻可以实现数据的存储功能。 最简单的应用是非易失性存储器，即断电后仍然能够保存数据的存储器。 2.a 工作原理 相变与存储： 晶态(低阻)和非晶态(高阻)，分别对应着逻辑数值“1”和“0”，利用电脉冲可以使材料在晶态与非晶态之间相互转换实现信息的写入与擦除，然后通过流经器件电流的大小来识别数据存储状态。 2.a 工作原理 相变与存储： 晶态 无序 低阻值 半金属特性 1 非晶态 有序 高阻值 半导体特性 0 2.a 工作原理 高阻与低阻： 对于固定结构的相变存储器，其存储单元晶态电阻是一个相对稳定恒定的值，容易测量定标，定义其晶态时的电阻值为低阻，非晶态电阻值在一定的范围内波动。 在表征存储信息时，通常是将存储单元晶态时的电阻作为一个基值用于表征一种信息值，用大于此基值一定倍数的非晶态电阻值来表征其它一个或多个信息值。对于目前二值存储的器件定义存储单元处于非晶态时表现出的大于晶态一定倍数的电阻值为高阻。 2.a 工作原理 电脉冲控制读、写和擦除操作： 写入过程:短而强的电压脉冲，电能转化成热能，材料温度升高到熔化温度以上，经快速冷却，可以使多晶的长程有序遭到破坏，从而实现由多晶向非晶的转化. 擦除过程:一个长且强度中等的电压脉冲，硫系化合物的温度升高到结晶温度以上、熔化温度以下，并保持一定的时间，使硫系化合物由无定形转化为多晶； 读取:通过测量硫系化合物的电阻值来实现的，