电力场效应晶体管MOSFET讲解.pptVIP

6.1 MOSFET的结构和工作原理 6.2 功率MOSFET的基本特性 6.3 功率MOSFET的主要参数 6.4 功率MOSFET的安全工作区 6.5 功率MOSFET的栅极驱动电路 也分为结型和绝缘栅型（类似小功率Field Effect Transistor——FET） 但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET） 简称功率MOSFET（Power MOSFET） 结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT） 功率MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道 ?功率MOSFET主要是N沟道增强型 功率MOSFET的结构 功率MOSFET的工作原理 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压UGS 栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面。 当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结消失，漏极和源极导电 。 1、??静态特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。 ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。 MOSFET的漏极伏安特性： 截止区（对应于GTR的截止区） 饱和区（对应于GTR的放大区） 非饱和区（对应于GTR的饱和区） 功率MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。 功率MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。 功率MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2、动态特性 开通过程 开通延迟时间td(on) —— up前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段。 上升时间tr—— uGS从uT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段。 iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。 UGSP的大小和iD的稳态值有关 UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变。 开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和。 关断过程 关断延迟时间td(off) ——up下降到零起，uGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小止的时间段。 下降时间tf—— uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到uGSUT时沟道消失，iD下降到零为止的时间段。 关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和。 * 第6章 功率场效应晶体管MOSFET 功率场效应晶体管MOSFET ?特点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小。 开关速度快，工作频率高。 热稳定性优于GTR。 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的功率电子装置 。 第6章 第6章 功率场效应晶体管MOSFET 6.1 导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。 导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。 功率MOSFET的多元集成结构，不同的生产厂家采用了不同设计。 国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六边形单元 西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元 摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列 图6.1 功率MOSFET的结构和电气图形符号 MOSFET的结构和工作原理 图6.1 功率MOSFET的结构和电气图形符号 6.1 MOSFET的结构和工作原理 图6.2 功率MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 功率MOSFET的基本特性 6.2 功率MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 6.2 功率MOSFET的基本特性 图6.3 功率MOSFET的开关过程 a) 测试电路 b) 开关过程波形 up—脉冲信号源，Rs—信号源内阻， RG—栅极电阻， RL—负载电阻，RF—检测漏极电流 6.2 功率MOSFET的基本特性 图6.3 功率MOSFET的开关过程 a) 测试电路 b) 开关过程波形 up—脉冲信号