纳米级电子束曝光机聚焦偏转系统研析.pdf

摘要 摘要 电子束曝光技术是掩模版制作和纳米器件研究的主要手段。它具有很高的 分辨率，最细线宽可达5纳米。对于大学和普通实验室来说，一种基于SEM的 纳米级电子束曝光机，因其价格便宜、操作灵活受到欢迎，具有很好的应用前 景。但这类机器，偏转场一般只有100微米左右，生产率较低。加大扫描场、 采用高亮度阴极、高速度工件台和高灵敏度感光胶是提高生产率的主要方法， 其中，加大扫描场具有很大潜力。但单纯加大扫描场往往使系统分辨率严重下 降。针对上述要求和问题，本文就具有低像差、大扫描场的纳米级聚焦偏转系 统展开研究。 论文主要有两个部分： (1)基于JSM．35CF扫接电镳的纳张级镶转系统饯诧设诗移媚关硬突。 借助目前墩先进的商用电子光学软件，用二阶有限元法计算得到商精 度豹空润场分毒，_|蔓五级豫羞鞠奄子桊上靶角海鑫栝，采爨最小阻慰=黍 法优化系统光学元件的位置、相对转角和相对激励强艘等因素，将可威用 于纳米曝光的辛i籀场增船到了250微涞。诧较实验绪莱，基予JSM·35CF 新线圈在频带和曝光性能上犬大优于原线圈。在优化三级像差的基础上， 探讨了五级像麓的影响，分析了几种消除五级像差(描消除圆极像差)的 偏转器螅像差性能和灵敏度；对偏转嚣的结构参数进行分板，海工程实现 提供了良好依据。设计了一组长度不等的偏转器，当优化得到的相对强度 戈．1雾重，系绕蒸毒最疯豹灵敏疫，遽疆可鞋鬟藏扫接速度。磁稼转系绫匏 涡流效应很大程度上影响着系统速度相位置精度，基于涡流的产生机理， 文章定燕分耩了涡流带来豹落差，著疆出了双徭翡、瀚隔均匀、稽互交叠 的屏蔽结构，该结构有效抑止了涡流、提高了偏转灵敏度，而且像差性能 基本没有交差。 (2)其有电予柬垂直入射特性躲、大扫播场纳米级聚焦偏转聚统的搽讨。 通过对前部分的分析研究，提出了两个新的纳米缀聚焦偏转系统。第 Axis bⅡ曲缀理秘伐讫设计方法戆三偏转嚣聚焦 一秘是基于VA_I(Variable 偏转系统，该系统在1．0毫米偏转场，1．8毫弧廉电子柬孔径角时，包括三 纳米级电子束曝光机聚焦偏转系统的研究 缴、五级像差的校正前总像差为7纳米，总畸变擞54纳米，电子束上靶角 为0．0003度。第二释是黢物镜双偏转器系统，流过方商耦反的嘏流豹两个 物镜可以消去各向同性和备向异性畸变、横向色差等四种基本的像差，对 于双偏转器系统，通过使第二个偏转器旒转，会引入另外的各向辩性像麓， 搜总体像楚大大减小。该双透镜双偏转器的纳米级聚焦镳转系统在1毫米 偏转场，1．8毫弧度电子策孔径角时，包括三级、五级像麓的校正后总像藏 为18．6纳米，总壤变量0。31微米，宅子窳主靶角为034度； 零谂交鑫擘键薪煮楚； 1、 利用目前最先进的商用电子光学软件，用二阶有限元法计算了空间 场分布，优仡了瓴括五缀像差在内的偏转系统，获得的偏转精度大 大优于常规的SEM偏转嚣。 2、 把偏转像麓和电子束入射角综合考虑，获得了精废更高、结构更合 理懿聚焦镳转系绞。 3、 提出了三偏转聚焦偏转系统和双物镜双偏转系统，这两种偏转系统 《浚在lmm穰转场这銎|绫米级魄予紊臻先要求，入射亳子足乎溪 直上靶。 关键诵；毫予寒瀑毙，纳岽缀聚焦褊转系统，薅缀像簇 摘要 Researchon for focusing-deflectionsystem electronbeam machine lithography (LIU