标准CMOS工艺下单片集成MSM光电探测器的 2 Gb_s光接收机.pdfVIP

2011 年 第56 卷 第 11 期：881 ~ 885 《中国科学》杂志社 论 文 SCIENCE CHINA PRESS 标准CMOS 工艺下单片集成MSM 光电探测器的 2 Gb/s 光接收机 肖新东, 张世林, 毛陆虹, 谢生, 陈燕 天津大学电子信息工程学院, 天津 300072 E-mail: xxd@ 2011-01-04 收稿, 2011-03-23 接受 国家自然科学基金、天津市自然科学基金重点项目(11JCZDJC15100)、国家重大专项(2010ZX03007-002-03)和国家高技术研究发 展计划(2009AA03Z415)资助项目 摘要 在标准互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工 关键词 艺下设计了1 种单片集成金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal, MSM)光电探测器的 光接收机 光接收机. 带有源反馈和负米勒反馈电容的跨阻前置放大器用来提高光接收机的带宽. 由 跨阻放大器 于MSM 光电探测器具有较高的响应度, 所以光接收机的灵敏度得到改善. 由于MSM 光电 MSM 光电探测器 CMOS 探测器的寄生电容较小, 在特许半导体0.35 μm 工艺下实现了带宽为1.7 GHz 的光接收机. 9 测试结果表明, 在15 dBm 的光功率和误码率为 10 的条件下, 光接收机的数据传输速率 达到了2 Gb/s. 在3.3 V 电压下, 芯片的功耗为94 mW. 通信系统是很多研究课题的热门话题, 现在数 CMOS 工艺实现了一种响应度为 0.35 A/W 的MSM 据传输的速率正在变成通信系统的瓶颈. 为了增加 光电探测器. 通信系统的整体性能, 光通信系统在不断的研究来 本文提出了一种集成MSM 光电探测器的CMOS 解决现今通信系统中存在的各种问题. 近年来, 光接 高速光接收机. 提高光电探测器的响应度是提高光 [1,2] 接收机的灵敏度的重要途径, 为了解决硅基标准 收机的研究已经取得了很大的进步 . [3,4] CMOS 光接收机灵敏度较低的问题, 在本次设计的 近年来, 报道了很多化合物集成接收机的研究 . 因为标准CMOS 工艺的制造和封装成本大幅度降低, 光接收机中采用集成MSM 光电探测器. 因为肖特基 单片集成 CMOS 光接收机的研究成为了光接收机的 二极管是 1 种多子器件, 所以基于肖特基二极管的 研究热点. 然而因为硅材料能带结构的缺点, 硅基标 MSM 光电探测器具有较高的响应度和更好的频率特 准CMOS 光接收机的响应度比较低. 近年来, 贝尔实 性. 除此之外, 由两个背靠背的肖特基二极管构成的 验室首次报道了采用 0.35 μm 标准 CMOS 工艺做出 MSM 光电探测器具有更低的寄生电容. 在本次设计 速率为 1 Gb/s、响应波长为850 nm、接收灵敏度为 中采用了带有源反馈的跨阻放大器来提高光接收机 [5]