第四章 扩散！.ppt

第四章 扩散 扩散层质量检验 薄层电阻测量 结深测量 掺杂分布测量 四探针薄层电阻测量 结深测量 磨角染色法（bevel and stain） pn结显示技术：不同导电类型的区域，由于电化学势不同，经染色后显示出不同颜色。 常用染色液：HF与0?1％HNO3的混合液，使p区的显示的颜色比n区深。 掺杂分布测量 C－V测量（Capacitance-Voltage Measurement） 测量结的反偏电容和电压的关系可以测得扩散层的掺杂分布。 扩展电阻测量（Spreading Resistance Measurement） 当金属探针与半导体材料呈欧姆接触时，电阻主要集中在接触点附近的半导体中，而且呈辐射状向半导体内扩展。 作业 1 扩散的机构包括哪些？并能解释其概念。 2 扩散系数定义和表达式及其和温度的关系。 3 菲克第一定律，菲克第二定律，并能解释其物理意义。 4恒定表面源扩散和有限表面源扩散的概念和杂质分布函数形式特点。 5两步扩散工艺的概念，及各步工艺方案及目的。 6横向扩散的概念。 7扩散工艺主要包括哪些？了解什么是开管扩散和箱法扩散。能说出液态源扩散和气态源扩散的区别。 2、液态源扩散 利用载气（如N2）通过液态杂质源，携带着杂质蒸汽进入高温扩散反应管，杂质蒸汽在高温下分解，并与硅表面硅原子发生反应，释放出杂质原子向硅中扩散。 舟 第四章 扩散 1）液态源硼扩散 ? 源 硼酸三甲脂 B[(CH3)O]3 ? 在500 oC 以上分解反应 B[(CH3)O]3 ? B2O3 + CO2 + H2O ＋ ... 2B2O3 + 3Si ? 3SiO2 + 4B ? 例： 预淀积: 950 oC 通源 10－20 分钟，N2 再分布: 1100 － 1200 o C干氧＋湿氧＋干氧 第四章 扩散 2）液态源磷扩散 ? 源 三氯氧磷 (POCl3) 600 ?C 5POCl3 ???? P2O5 + 3PCl5 2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P (向硅中扩散) ? PCl5难分解，会腐蚀硅，故还要通入少量O2 4PCl5 + 5O2 ???? 2P2O5 + 10Cl2 ? ? 例 ： 预淀积 :1050 ?C N2 和 O2 再分布: 950 ?C O2 第四章 扩散 3、固态源扩散（B2O3，P2O5，BN等） 舟 开管扩散：惰性气体作为载气把杂质源蒸气输运到硅片表面，在扩散温度下，杂质化合物与硅反应生成单质杂质原子相硅内扩散。 第四章 扩散 锑的箱法扩散 硅片与扩散源同放一箱内， 在N2气保护下扩散 源 ： Sb2O3 : SiO2 = 1:4 (粉末重量比) 2Sb2O3 + 3Si = 4Sb + 3SiO2 片状固态氮化硼扩散 活化处理 4BN + 3O2 ? 2B2O3 + 2N2 900 ?C 1 h. 通 O2 扩散 2B2O3 + 3Si ? 3SiO2 + 4B BN片与硅片大小相当，和硅片相间均匀放置在舟上。不需载气，但以N2或Ar2保护。 第四章 扩散 4、 旋涂掺杂法（spin-on-glass） 用旋涂法在Si表面形成掺杂氧化层，然后在高温下杂质向硅中扩散。 源： As （arsenosilica）； Sb （antimonysilica）； B （borosilica）； P （phosphorosilica） 烘焙 200 ?C 15分钟去处溶剂 根据Rs和xj要求决定扩散温度和时间 特点 ：掺杂元素多 浓度范围广 第四章 扩散 第四章 扩散 四根探针何四个针尖都保持在一条直线上（linear），并以等压力压在半导体样品表面。1和4称为电流探针，由稳压电源恒电流供电；2和3称为电位探针，测量这两个探针之间的电位差 V I t S S S Van der Pauw 范德堡图形 S t时成立！ 1 4 3 2 第四章 扩散 第四章 扩散 VR 1/C2 对于均匀掺杂的单边突变结，结电容由下式给出： ?s 硅的介