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光敏电阻 ?? 具有内光电效应 光敏电阻是利用半导体材料的光导效应即由于光照强弱而导致半导体阻值变化的现象而工作的，这种具有光导效应的半导体材料就称为光敏电阻。 光敏电阻就像一个电阻元件，只是阻值随光照变化。 无光照时，暗电阻很大，电流很小。 受一定范围的光照时，亮电阻急剧减小，电流迅速增加。 优点：具有很高的灵敏度，很好的光谱特性，光谱响应从紫外区到红外区，体积小，重量轻，性能稳定，价格便宜。 光敏二极管和光敏三极管 ?? 具有内光电效应 光敏二极管和光敏三极管的特点： 光敏二极管特点：灵敏度一般，稳定性好，频响快（?=10-7s），体积小，频率特性快。 光敏三极管特点：灵敏度比二极管高，但稳定性差，其它与二极管相同。 二、霍尔效应 当输入端加电流I，并在元件平面法线方向加磁感强度为B的磁场，那么在垂直于电流和磁场方向上将产生一电势UH，这个电势就是霍尔电势，这种现象就是霍尔效应。 霍尔效应的原因: 任何带电质点在磁场中沿着和磁力线垂直方向运动时，会受到磁场力 如果v和B之间有夹角，那么要乘上sin?，用向量表示即为 Fl的方向用右螺旋决定，指向由v经小于1800的角转向B，这个Fl就是洛仑兹力，对于正电荷Fl在v?B的方向上，至于负电荷，则所受的力的方向正好相反。 霍尔电势方向判别： P型材料： N型材料： 左手定则： 四指——指向电流 B ——穿过手心 大拇指——指向的是力的方向 霍尔电势： 三、霍尔系数及灵敏度 霍尔系数： 霍尔系数取决于载流子材料的物理性质，反映了材料的霍尔效应的强弱。 n?、RH?，故金属导体不适于制作霍尔元件，而半导体材料迁移率（尤其是N型半导体）大，故RH ??。 n —— 自由电子密度 q —— 带电粒子的电量 灵敏度和霍尔电势 灵敏度： kH表示单位电流、单位磁场作用下，开路的霍尔电势输出值。 kH与元件的厚度成反比，d?、KH?，但考虑提高灵敏度的同时，必须兼顾元件的强度和内阻。 d? r内阻? 霍尔电势： 四、霍尔元件的误差及其补偿 由于制造工艺问题以及实际使用时所存在的各种影响霍尔元件性能的因素，如元件安装不合理、环境温度变化等，都会影响霍尔元件的转换精度，带来误差。 （一）、霍尔元件的零位误差及其补偿 霍尔元件的零位误差包括不等位电动势、寄生直流电动势等。 1.不等位电动势U0及其补偿 当霍尔元件在额定控制电流作用下，不加外磁场时，霍尔输出端之间的空载电动势，称为不等位电动势U0。 U0产生的原因： (1)制造工艺不可能保证将两个霍尔电极对称地焊在霍尔片的两侧，致使两电极点不能完全位于同一等位面上，如图5-8a所示。 (2)霍尔片电阻率不均匀或片厚薄不均匀或控制电流极接触不良都将使等位面歪斜(见图5-8b)，致使两霍尔电极不在同一等位面上而产生不等位电动势。 采用补偿电路加以补偿 2.寄生直流电动势 当霍尔元件通以交流控制电流而不加外磁场时，霍尔输出除了交流不等位电动势外，还有直流电动势分量，称为寄生直流电动势。 产生原因：由于元件的两对电极不是完全欧姆接触而形成整流效应，以及两个霍尔电极的焊点大小不等、热容量不同引起温差所产生的。 （二）、霍尔元件的温度误差及其补偿 一般半导体材料的电阻率、迁移率和载流于浓度等都随温度而变化。霍尔元件由半导体材料制成，因此它的性能参数如输入和输出电阻、霍尔常数等也随温度而变化，致使霍尔电动势变化，产生温度误差。 选用温度系数小的霍尔元件 采用适当的补偿电路 采用恒流源供电和输入回路并联电阻 合理选取负载电阻RL的阻值 采用恒流源和输入回路串联电阻 采用温度补偿元件 采用恒流源供电和输入回路并联电阻 根据式(5-5)选择输入回路并联电阻RP，可使温度误差减到极小而不影响霍尔元件的其他性能。 (5-5) (5-4) 合理选取负载电阻RL的阻值 当霍尔元件接有负载RL（如放大器的输入电阻）时，在RL上的电压为 式中 Ro——霍尔元件的输出电阻 Ro0——温度为t0时的输出电阻 为使负载上的电压不随温度而变化，应使 即得 可采用串、并联电阻的方法使上式成立来补偿温度误差。但霍尔元件的灵敏度将会降低。