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理论基础－量子点效应 模拟方法 模拟方法 致 谢 * * * * 计算材料学课程设计演示 电子002班第三小组 Molecular Dynamics Simulation of Nan devices Characteristics The Achievement of CMS EST 002 III 摘要：随着微细加工技术与纳米科技的发展,纳米器件必将成为下一代集成电路的基础。纳米器件模型的建立与计算机模拟对于实验有着重大的指导意义。我们试图通过对CdS纳米粒子自组装体系室温单电子现象的分子动力学模拟来了解量子点纳米器件的输运模型和模拟结果。 关键词：纳米器件 量子点 分子动力学 纳米粒子自组装体系 内容简介 Abstract: With the development of micro fabrication techniques and nano-scale science and technology, Nan devices will be the basis of the next generation integrated circuits. The formulation of nanodevices model and its computational simulation have important significance of guidance. This article describes the quantum dot’s transportation-model and the result of their simulation through the molecular simulation of nanoscale particle self-assembly system of CdS. Key words: Nan devices quantum dot molecular dynamics nanoscale particle self-assembly system Content 理论基础——量子点效应 物理建模——纳米粒子自组装体系的分子动力学模拟 数学建模 计算机模拟 结果分析 设计思路 量子点是人工制造的小系统，其线度在1nm～100nm空间尺度内，介于宏观线度与原子团簇之间的过渡区域，是由几十乃至上千个原子构成的稳定的凝聚相微结构，是一种典型的介观系统。 当微粒尺度进入纳米量级时,尺寸限制将引起量子尺寸效应,量子限制效应,宏观量子隧道效应和表面效应,从而派生出纳米体系与常规体系和微观体系不同的低维物性,展现出许多不同于宏观体材料的物理化学性质。 利用CdS纳米粒子组装体和STM探针构造的串联双隧道结体系 图中的针尖与衬底均为金属Au,中间的纳米颗粒是CdS量子点,颗粒的大小为几纳米到十几纳米。CdS量子点与Au衬底、针尖之间为有机物或真空。在针尖(Tip)与衬底之间加上偏压即可测得I-V曲线。 物理模型 物理模型 图1所示的模型可用图2的双势垒模型表示。 图2　串联双隧道结结构的双势垒模型 在上图中：以左电极与势垒的接触点为原点。设左电极Au的导带底部为0,Au在真空中的Fermi能级为5.51eV,即取EFL=5.51eV。V为偏压,EFL-EFR= Φ ,其中EFL和EFR分别是双隧道结两边电极的费米能级。设CdS量子与Au衬底、针尖之间为真空, Φ0为Au的功函数,Φ1为CdS功函数。由于CdS的εr为8.9,可认为偏压V在a,c,b三段的分配分别为: 模拟方法 整个系统的势函数可写为： 模拟方法 实验中,a、b为3—5nm,c为CdS纳米点的尺寸,为5—8nm。由于势垒是V的函数,隧穿电流为V的函数。设隧穿电流密度为J(V),由于势垒两边是金属,使用隧穿系数和平衡态的费米分布函数即可求出J(V)。和分别是双隧道结两边电极的费米能级,相应的费米分布函数可记为: 左边电极的费米能级 右边电极的费米能级 模拟方法 描述粒子隧穿过程的一个重要的物理量是隧穿系数P,即隧穿通过势垒的粒子数除以入射粒子数。我们约定两边的费米能级的计算从各自的导带底算起。当偏压V相对于左边为正时,右边的费米能级将降低Φ。总的净隧穿电流密度等于从左边隧穿流向右边的电流密度与从右边隧穿流向左边的电流密度之差: 模拟方法 在上式中X轴垂直于势垒侧面,并有和。利用上式求时, 必须对左边金属所有可能的k态积分并乘以相应的群速度和隧穿系数,再乘以费米分布函数和,前者保证左边被电子占据,后者保证右边是空态;