锑碲基相变材料的脉冲激光沉积法制备和性能的研究.pdf

後堡大擎 锑碲基相变材料曲脉冲激光沉积法制备与性能研究 目录 目录……………………………………………………．．1 摘要……………………………………………………．．3 第一章 引言 1．1 相变存储器与相变材料简介………………………………．6 1．1．1相变存储器概述………………………………………．．6 1．1．2相变材料的研究进展……………………………………．8 1．1．3相变材料改性法的研究进展………………………………12 1．1．4相变材料掺杂改性法的研究进展…………………………．．14 1．2 脉冲激光沉积法简介……………………………………25 1．2．1脉冲激光沉积法工作原理………………………………．．25 1．2．2脉冲激光沉积法的优势…………………………………．27 1．2．3脉冲激光沉积法制备相变材料的研究进展………………………………28 1．3 本论文的研究内容及目的………………………………．．28 1．4 本论文的研究方法……………………………………．．29 1．4．1样品制备…………．…………………………………29 1．4．2相变材料组分、表面形貌和结晶性能的表征…………………．29 1．4．3相变材料电学性能的表征………………………………．．30 第二章 膜厚度和锑碲组分比对锑碲基相变材料的性能影响 2．1不同组分比的锑碲基薄膜性能……………………………………………。31 2．1．1对薄膜结晶性能的影响………………………………………………．．3l 2．1．2对薄膜电学性能的影响………………………………．35 2．1．3本节小结…………………………………………．36 万方数据 後里大学 锑碲基相变材料的脉冲激光沉积法制备与性能研究 2．2不同厚度的Sb2Te3薄膜性能………………………………．36 2．2．1厚度对薄膜结晶性能的影响……………………………．36 2．2．2厚度对薄膜电学性能的影响……………………………．38 2．2．3本节小结………………………………．…………．42 第三章 氮掺杂锑碲基相变材料的制备与性能研究 3．1氮掺杂锑碲基相变材料的结晶性…………………………．．43 3．2氮掺杂锑碲基相变材料的电学性能…………………………48 3．3本章小结………．．．．……………………………．．．．．．52 第四章 铜掺杂锑碲基相变材料的制备与性能研究 4．1铜掺杂锑碲基相变材料的结晶性…………………………．．53 4．2铜掺杂锑碲基相变材料的电学性能…………………………59 4．3本章小结……………………………………………．60 第五章 结论 5．1 本文的结论…………………………．．……………．．61 5．2 展望………………．．．．……………………………62 参考文献…………………………………………………．63 致谢……………………………………………………．．69 万方数据 援里大擎 锑碲基相变材料的脉冲激光沉积法制备与性能研究 锑碲基相变材料的脉冲激光沉积法制备与性能研究 摘要 锑碲基相变材料虽然具有高结晶速度和低结晶温度等优点，但由于低阻态电 阻过低，容易导致复位(reset)电压过高，且热稳定性较差，无法直接用于制 备相变存储器件。掺杂是解决这一问题的重要途径之一。 本研究尝试使用脉冲激光沉积法(PLD)制备锑碲基相变材料。薄膜的组分 与靶材组分一致程度高，可通过控制靶材的组分方便地控制薄膜的组分。本论文 不仅通过控制自制靶材的Sb、Te组分比制各出Sb、Te原子比例不同的Sb。Te。 偏压可有效控制薄膜中的N含量通，制备了含氮量从4．66at％至U11．09at％的N—S