晶体三极管共射放大器实验详解.ppt

第1章 低频小信号放大电路实验 1.1 基础知识 1.2 晶体三极管共射放大器实验 1.3 晶体管共射放大电路设计 1.4 场效应管共源极放大器实验 1.5 射极跟随器实验 1.6 差动放大器实验 1.7 典型差动放大器电路设计 1.8 晶体管阻容耦合两级放大器实验 1.9 多级低频小信号放大电路设计 1.2 晶体三极管共射放大器实验 1.2.1 实验目的 1. 熟悉常用电子仪器的使用方法，熟悉基本电子元器件的作用。 2. 学会并熟悉 “先静态后动态”的电子线路的基本调试方法。 3. 分析静态工作点对放大器性能的影响，学会调试放大器的静态工作点。 4. 掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压的测试方法。 1.2.2 基本电路及指标调试 1. 基本电路图1.2.1 共射极放大器实验电路 图1.2.1为最常用的一种工作点稳定的电阻分压式共发射极三极管单管放大器电路，它实质上就是表1.1.1中相应的基本电路。只不过使基本电路的发射极反馈电阻RF=0，并使基极上偏流电阻RB1由电位器RW11和固定电阻RB11串联组成。用电位器作基极上偏流电阻能很方便地对静态工作点进行调节，串联一个固定电阻是防止当电位器阻值调到很小时损坏三极管。在图1.2.1电路的输入端还接进了由R1和R2组成的分压网络，这样可以减低对信号源的信噪比的要求。 2 静态工作点的理论估算和测量 图1.2.1电路的静态工作点可用表1.1.1中的公式估算，计算UB时要求流过偏置电阻RB1和RB2的直流电流远大于晶体管T的基极电流IB：一般对于硅管，要求流过偏置电阻RB1和RB2的直流电流是晶体管基极电流IB的5到10倍，在此条件下，图1.2.1的电路具有相当好的温度稳定性，由于晶体管T的基极电流为101μA数量级，因此流过偏置电阻RB1和RB2的电流只要等于或大于102μA数量级即可。 表1.1.1各公式中，UBE为三极管基极和发射极之间的电压，一般对硅管可以估计为0.7V，对锗管估计为0.3V。 测量放大器的静态工作点，应在输入信号Ui=0的情况下进行，即将放大器输入端与地端短接，然后选用合适的方法，分别测量晶体管的集电极电流IC以及各PN结的电压。 考虑图1.2.1放大电路的静态工作点：我们首先考虑用万用电表的直流电压挡测量UE，这样可以通过计算的方法得到IE和IC的值： 在实验中，用万用表测量UE的值，其误差不会太大：例如用MF-47型万用表的直流10V挡测量UE，此时万用表的等效电阻为20kΩ/V×10V=200kΩ，相对于阻值为1 kΩ~2 kΩ的发射极电阻RE来说影响不大；但如果用万用表的直流电压挡去测量UB的值，则由于万用表和图1.2.1中的RB2并联，如果RB2较大，则一般会产生较大的误差；至于用万用表的直流电压挡测量UC的值的误差，则要根据三极管的静态电流和万用电表流过的实际电流来分析，如MF-47型万用表的直流电压挡需要的测量电流为1V/20kΩ=50μA，静态工作点为1mA则误差约为0.05，当静态工作点过小或万用表分流过大时，用万用表测量UC值产生的误差也不容忽略，因此我们一般只用万用电表去测量UE的值，而用示波器(内阻非 常大)的直流测量功能去测量UC和UB的值，然后可以算出UBE =UB-UE，UCE =UC-UE。这样可以得到较准确的直流工作点的值。 很多时候我们只需要得到静态工作点的大致数值，比如我们只要知道集电结和发射结的正反偏情况就能判断三极管所处的工作状态，这时我们也可以用万用表的直流电压挡直接测量三极管电路的UBE 和UCB，这时测量出来的值（尤其是测UBE）会与实际情况有一定差异，但在实用的范围内能够说明问题。 3 静态工作点的调试 静态工作点是否合适，对放大器的性能和输出波形都有很大的影响。在完成设计和装配以后，必须对电路的静态工作点进行调试。 图1.2.2中的曲线簇是三极管的输出特性曲线，对于图1.2.1的电路，在UCE轴上找出UCE=VCC的点，在IC轴上找出IC=VCC/（RC+RE）的点，连接这两点的直线就是图1.2.1放大电路的直流负载线。在图1.2.2中，Q1的工作点偏高，放大器在加入低频正弦交流信号以后易产生饱和失真，输出信号波形uo的负半周将被削底如图1.2.3（a）所示；而图1.2.2中Q2的工作点偏低，在加入低频正弦交流信号以后容易产生截止失真，输出信号uo的正半周被 缩顶，如图1.2.3（b）所示。从图1.2.3还可以看出，截止失真不如饱和失真明显。 改变图1.2.1电路的参数VCC，RC，RB（RB1，RB2），都会引起静态工作点的变化。假定图1.2.2初始工作点是Q，如果减小上偏流电阻RB1的值（或