全控型电力电子器件详解.ppt

第4章 全控型电力电子器件 本章要点 可关断晶闸管（GTO）的结构、工作原理、特性、参数；驱动和缓冲电路 电力晶体管（GTR）的结构、工作原理、特性、参数；驱动、保护和缓冲电路 功率场效应晶体管（P-MOSFET）的结构、工作原理、特性、参数；驱动、保护和缓冲电路 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的结构、工作原理、特性、参数；驱动和保护电路 4.1 门极可关断晶闸管（GTO）4.1.1 GTO的结构和工作原理 1、GTO的结构 GTO为四层PNPN结构、三端引出线（A、K、G）的器件。和晶闸管不同的是：GTO内部是由许多四层结构的小晶闸管并联而成，这些小晶闸管的门极和阴极并联在一起，成为GTO元，而普通晶闸管是独立元件结构。下图是GTO的结构示意图、等效电路及电气符号。 2、GTO的工作原理 （1）开通过程 GTO也可等效成两个晶体管P1N1P2和N1P2N2互连，GTO与晶闸管最大区别就是导通后回路增益α1+α2数值不同，其中α1和α2分别为P1N1P2和N1P2N2的共基极电流放大倍数。晶闸管的回路增益α1+α2常为1.15左右，而GTO的α1+α2非常接近1。因而GTO处于临界饱和状态。这为门极负脉冲关断阳极电流提供有利条件。 （2）关断过程 当GTO已处于导通状态时，对门极加负的关断脉冲，形成－IG，相当于将IC1的电流抽出，使晶体管N1P2N2的基极电流减小，使IC2和IK随之减小，IC2减小又使IA和IC1减小，这是一个正反馈过程。当IC2和IC1的减小使α1+α21时，等效晶体管N1P2N2和P1N1P2退出饱和，GTO不满足维持导通条件，阳极电流下降到零而关断。 由于GTO处于临界饱和状态，用抽走阳极电流的方法破坏临界饱和状态，能使器件关断。而晶闸管导通之后，处于深度饱和状态，用抽走阳极电流的方法不能使其关断。 4.1.2 GTO的特性和主要参数 1、GTO的阳极伏安特性 2、GTO的开通特性 开通时间ton由延迟时间td和上升时间tr组成 3、GTO的关断特性 GTO的关断过程有三个不同的时间，即存储时间ts、下降时间tf及尾部时间tt。 存储时间ts ：对应着从关断过程开始，到阳极电流开始下降到90%IA为止的一段时间间隔。 下降时间tf ：对应着阳极电流迅速下降，阳极电压不断上升和门极反电压开始建立的过程。 尾部时间tt ：则是指从阳极电流降到极小值时开始，直到最终达到维持电流为止的时间。 GTO的关断特性 4、主要参数 GTO有许多参数与晶闸管相同，这里只介绍一些与晶闸管不同的参数。 （1）最大可关断阳极电流IATO 电流过大时α1+α2稍大于1的条件可能被破坏，使器件饱和程度加深，导致门极关断失败。。 （2）关断增益?off GTO的关断增益?off为最大可关断阳极电流IATO与门极负电流最大值IgM之比?off，通常只有5左右。 （3）阳极尖峰电压 ：在GTO关断过程中，在下降时间的尾部出现了一个阳极尖峰电压，尖峰电压超过一定值会引起GTO失效。 （4）维持电流 ：GTO的维持电流是指阳极电流减小到开始出现GTO元不能再维持导通的电流值。当阳极电流略小于维持电流时，仍有部分GTO元维持导通，这时若阳极电流回复到较高数值，己截止的GTO元不能再导电，就会引起维持导通状态的GTO元的电流密度增大，出现不正常的状态。 （5）擎住电流 ：擎住电流是指GTO元经门极触发后，阳极电流上升到保持所有GTO元导通的最低值。 4.1.3 GTO的驱动信号和驱动电路 1、门极驱动信号 GTO门极电流、电压控制波形分为开通和关断两部分，推荐波形如下图所示。图中， 实线为波形， 虚线为波形， 为正向触发电流。 对门极控制电流信号的波形要求是： 开通时，门极电流脉冲前沿陡度大，一般为5～10A/μS，门极正脉冲电流的幅度比规定的额定直流触发电流应大3～10倍，正脉冲宽度一般为10～60μS，而后沿应尽量平缓些。 关断时，关断脉冲电流上升率一般为10～50A/μS。脉冲应具有一定的宽度，关断脉冲电流的幅度一般为(1/8～1/3) ，其后沿也应尽量平缓些。 2、门极驱动电路 GTO的驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。 ① 恒压源驱动控制 恒压源驱动控制电路如图所示，晶体管V1控制GTO触发导通；V2控制GTO关断。关断电源E2须小于GTO的门极反向电压UGRM之值，否则会引起GTO产生雪崩电流。 变压源驱动控制 变压源驱动控制如图所示，晶体管V通过电容C供给GTO