机器放电模式之全晶片静电放电防护.pdf

機器放電模式之全晶片靜電放電防護 王泰和，凌陽科技股份有限公司 摘要：16 Mbit的可規劃罩冪式記憶體 (programmable mask ROM)積體電路 (integrated circuits, IC)產品，在本公司內部機台測試結果，機器模式 (machine model, MM)靜電放電 (electrostatic discharge, ESD)耐受度可達300 V ，但在客戶端的測試結果卻只有150 V 。經過詳細的分析， 我們發現機器模式靜電放電的結果和輸出波形的速度有相當大的關係。如果速度很快時，將 會造成晶片內部電路的破壞。新的設計架構針 對此問題進行修正改良，並成功地改善該產品 機器模式的靜電放電耐受度至350 V的水準。 1.簡介 機器模式靜電放電在深次微米(deep sub-micron)製程中，會比人體放電模式(human body model, HBM) 來得重要圖( 1) 。當輸出波形很快時，常常可以發現晶片內部電路因而損毀。並 且，機器模式靜電放電耐受度與電路設計、製程、佈局、及不同組的電源有關[1] 。 16 Mbit可規劃罩冪式記憶體，在客戶端的的驗證過程中，無法通過機器靜電放電模式的 商用規格。為了達到客戶的需求，必須進一步加以改善。事實上，在本公司內部的測試結果， HBM 4 kV ，MM 300 V ，CDM(charged device model, 元件充電模式) 800 V 。但是，在客 戶端的測試結果， HBM 4 kV ，MM 150 V ，CDM 600 V 。而客戶要求的規格則是HBM 3 kV ，MM 250 V ，CDM 800 V 。圖2是原來晶片的 ESD靜電放電電路 [2] 。 2.故障分析及原理探討 2.1 電性分析 經過電性量測，MM ESD的故障模式，主要為靜態電流 (standby current)及輸入漏電(input leakage) 。而且，在ESD測式的 PD 、NS 、ND 、PS 等四個測試方式中都有損毀的情形。 從損毀樣品的分析中，可發現第一種損毀的情形是產品功能依舊正常，但是靜態電流增 大為~ mA的數量級。另外一種損毀的情形，是輸入電流的量測結果大於產品規格。從 I-V曲 線來看，應是輸入端緩衝器的 PMOS或 NMOS 元件已經受損所致。圖( 3 ，圖 4) 2.2 EMMI (emission microscopy)分析 從 EMMI的分析中 圖( 5)可發現，當 PD測試模式 200 V ESD 脈波輸入時，所造成靜態電 流過大的毀損，其毀損位置是在前輸出級(output pre-buffer)的源極。而且，這種故障模式並不 會導致 IC 本身功能喪失。圖6是另一種損毀的模式。在 PS測試模式 200 V ESD 脈波輸入時， 造成了輸入緩衝器閘極的絕緣層損毀，輸入漏電流因而增加。 2.3 原理討論 為了驗證所推測的想法，我們在線路佈局圖形中尋找可能的原因。發現損毀的路徑是從 PMOS源極到 NMOS 源極。而其距離是依據最小的佈局設計準則(design rule)所繪製。也就是 1 說，這是 PNPN寄生結構的矽控整流器 (silicon controlled rectifier, SCR)最容易被觸發的情形。 所有損毀元件共同的特點，是接近輸入輸出銲墊⁄ (bond pad)的附近均存在此種寄生 SCR 元 件。這種故障模式是 ESD 脈波輸入的電流，觸發銲墊附近SCR 元件所導致的損毀。 3. 波形量測和設計改善 3.1 波形量測 由於來自不同機台的量測結果差異很大，因此必須驗證其原因。首先，量測波形是必要 的。圖 7是本公司內部機台 MM 100 V的波形 (K-company) ，tfr (fall/rise time ，脈波下降⁄ 上升 時間 的頻率大約是) 12 MHz 。這個速度雖符合JEDEC 115 工業標準的規範，但卻接近最慢速 度規範的數值。圖 8是客戶端機台量測到的波形 (H-company) ，trf 大約是16 MH