第一章半导体材料及PN结.ppt

1.1 半导体的基础知识 一、半导体概念 导体：自然界中很容易导电的物质称为导 体， 金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体， 如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝 缘体之间，称为半导体， 如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 二、半导体的导电机理 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 1.掺杂性 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 2.热敏性和光敏性 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 三、 本征半导体（纯净和具有晶体结构的半导体） 1、本征半导体的结构特点 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 4、本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 温度越高，载流子的浓度越高,因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 四、 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 3、结论 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 (2) 加反向电压（反偏）——电源正极接N区，负极接P区 PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 课堂巩固练习 * 第一章 半导体器件 第一节 半导体基础知识 第二节 PN结及其单向导电性 第三节 半导体二极管 第四节 双极性三极管 Ge Si +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体 将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。 价电子 共价键 图 1.1.1　本征半导体结构示意图 2、本征半导体的晶体结构 当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 图 1.1.2　本征半导体中的 　　　　 自由电子和空穴 自由电子 空穴 若 T ? ，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。 T ? 自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。 　　空穴可看成带正电的载流子。 3、本征半导体中的两种载流子 （动画1-1） （动画1-2） 杂质半导体有两种 N 型半导体 P 型半导体 1、 N 型半导体(Negative) 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如　　磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型　　半导体)。 自由电子浓度远大于空穴的浓度 电子称为多数载流子(简称多子)， 空穴称为少数载流子(简称少子)。 (本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。) 2、 P 型半导体 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体(或称空穴型半导体）。 空穴浓度多于自由电子浓度 空穴为多数载流子(简称多子）， 电子为少数载流子(简称少子)。 +3 (本征半导体掺入 3 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 3 个价电子，3与硅构成共价键，多余一个空穴。) 说明： 　　1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。 3. 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。 　　2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。 (a)N 型半导体 (b) P 型半导体 图 　杂质半导体的的简化表示法 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。