第1章 双极型半导体器件.pptVIP

(1-*) 测得工作在放大电路中几个三极管的三个电位如下图，判断 他们是PNP型还是NPN型？是硅管还是锗管？同时确定三个电极 b e c NPN 硅管 c b e PNP锗管 c e b PNP硅管 NPN锗管 b e c (1-*) 1-8 二极管为理想二极管，判断图中二极管的工作状态并求u0 共阴极接法的多个二极管，阳极电位高的导通，其它的截止 共阳极接法的多个二极管，阴极电位低的导通，其它的截止 VD1导通，VD2截止 VD2导通，VD1截止 0V -12V -3V 0V u0 = 0V u0 = -3V (1-*) (1-*) 第1章 双极型半导体器件 朱剑芳 制作 (1-*) 第1章 双极型半导体器件 1.2半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.1 半导体的基本知识 (1-*) 1.1.1 半导体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体，如铁、铜、铝等。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等 半导体的导电机理不同于其它物质，其特点： 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 往纯净半导体中掺入某些杂质，会使其导电能力明显改变。 1.1 半导体的基本知识 (1-*) 1.1.2 本征半导体 Ge Si 绝对零度以下，本征半导体中无活跃载流子，不导电 常用的半导体是硅和锗，外层电子（价电子）均4个。 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 形成共价键后，最外层电子是8个，构成稳定结构 +4 +4 +4 +4 共价键结构 束缚电子 (1-*) 1.1.3 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼(或 铟)而形成，也称为（空穴半导体）。 N 型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑） 而形成。也称为（电子半导体）。 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 N 型半导体中的载流子是什么？ 自由电子为多数载流子（多子） 空穴称为少数载流子（少子） 自由电子为多子 空穴是多子 多子和少子的移动都能形成电流。起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等 (1-*) P型半导体 N型半导体 扩散运动 内电场E 漂移运动 扩散使空间电荷区逐渐加宽 内电场越强，漂移运动越强，漂移使空间电荷区变薄。 空间电荷区， 也称耗尽层。 1.1.4 PN 结 PN 结的形成 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散和漂移运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变 (1-*) PN结的单向导电性 PN 结外加正向电压： P 区接正、N 区接负电压 PN 结加上反向电压： P区加负、N 区加正电压 P N P N 内电场 外电场 变薄 结论：P N 结导通 外电场 变厚 结论：P N 结截止 内电场 (1-*) 1.2 半导体二极管 1、基本结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 P N 二极管电路符号 1.2 P N 2、伏安特性 U I 死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V 导通压降: 硅管约0.7V锗管约0.3V 反向击穿电压UR VD (1-*) 3、主要参数 1. 最大整流电流 IFM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流 2. 最大反向工作电压URM 指管子运行时允许承受的最大反向电压，是反向击穿电压UBR的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。其值越小越好。温度越高反向电流越大。硅管的较小，锗管的要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。 1.2 (1-*) 4. 直流电阻 RD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻 1.2 5. 微变电阻 rD 二极管上电压与电流之比 正向几十欧-几千欧 反向几十-几百千欧 (1-*) 实际二极