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近红外光电探测器材料 ——Si基材料 物理系 主要的三个部分 前言 引言 探测器的分类 近红外硅基探测器的进展 基本原理 Si Ge 的性质 SiGe应变材料的性质 材料生长 ＵＨＶ－ＣＶＤ 表征 一.前言 引言 探测器的分类 近红外硅基探测器的进展 1.引言 2.红外探测器的分类 2.1 热探测器 热胀冷缩效应：液态的水银温度计、气态的高莱池（Golay cell） 温差（Seeback）效应: 热电偶和热电堆 共振频率对温度的敏感性：石英共振器非致冷红外成像阵列。 材料的电阻或介电常数的热敏效应 热释电效应 缺点：灵敏度低，响应速度慢 2.2光电探测器 2.3探测器的性能参数 量子效率: 单个入射光子在器件中所产生的对光电流有贡献的电子－空穴对．即光生载流子与入射光子流的比值 响 应 度: 单位入射光功率产生的电流. 3.近红外硅基探测器的发展 －－在硅上外延Ge体材料 二.基本原理 Si Ge 的性质 SiGe应变材料的性质 1.Si Ge 的性质 Si Ge 晶体结构 SiGe材料的性质 2.应变材料的性质 应变对带隙的影响 应变对si导带和价带的影响 Si1-xGex/Si 异质结两种能带结构 2.2应变对si的影响——导带 应变对si的影响——价带 三.材料生长 ＵＨＶ－ＣＶＤ 表征