第二章 晶体缺陷解析：.pptVIP

第一节 点缺陷 第二节 线缺陷 线缺陷就是在两个方向上尺寸很小，在一个方向上尺寸很大的缺陷。 线缺陷是各种类型的位错。 位错是晶体内部一种有规律的管状畸变区。原子发生错排的范围，在一个方向上尺寸较大，而另外两个方向上尺寸较小，是一个直径为3~5个原子间距，长几百到几万个原子间距的管状原子畸变区。 最简单的位错是刃型位错和螺型位错。 1939年柏格斯提出用柏氏矢量来表征位错的特性，同时引入螺型位错。 1947年柯垂耳利用溶质原子与位错的交互作用解释了低碳钢的屈服现象。 1950年弗兰克与瑞德同时提出了位错增殖机制F—R位错源。 50年代后，透射电镜直接观测到了晶体中位错的存在、运动、增殖。 2.位错的基本类型 位错可分为刃性位错和螺型位错。 （1）刃型位错 第三节 面缺陷 （4）柏氏矢量的表示方法 柏矢量　对于柏矢量b沿晶向[uvw]的位错 柏矢量的模　柏矢量的模的计算就是矢量模的计算，同第一章中介绍的晶向长度计算。对于立方晶系： 位错的加法按照矢量加法规则进行。 4.位错密度 晶体中所含位错的多少可用位错密度来表示。位错密度定义为单位体积晶体中所含位错线的总长度，其表达式为  若为了简便起见，可把晶体中的位错线视为一些直线，而且是平行地从晶体的一端延伸到另一端，于是位错密度就可被视为垂直于位错线的单位截面中所穿过的位错线数目，即 图 晶体位错密度和强度关系示意图 5.位错的攀移 刃型位错除了可以在滑移面上滑移外，还可垂直于滑移面发生攀移。 当半原子面下端的原子跳离，即空位迁移到半原子面下端时，半原子面将缩短，表现为位错向上移动，这种移动叫做正攀移。反之叫做负攀移。 位错攀移时伴随着物质的迁移，需要扩散才能实现。因为攀移需要原子扩散，所以较之滑移所需的能量更大。对于大多数金属，这种运动在室温下很难进行。因此，位错攀移时需要热激活，也就是比滑移需要更大的能量。 通常称攀移为“非守恒运动”，滑移则称为“守恒运动”。 图 位错的攀移 6.位错运动的交割 对于在滑移面上运动的位错来说，穿过此滑移面的其它位错称为林位错。林位错会阻碍位错的运动，但是若应力足够大，滑动的位错将切过林位错继续前进。位错互相切割的过程称为位错交割或位错交截。 一般情况下，两个位错交割时，每个位错上都要新产生一小段位错，它们的柏氏矢量与携带它们的位错相同，它们的大小与方向决定于另一位错的柏氏矢量。 当交割产生的小段位错不在所属位错的滑移面上时，则成为位错割阶，如果小段位错位于所属位错的滑移面上，则相当于位错扭折。 (1) 两个柏氏矢量互相平行的刃型位错交割 图 两个柏氏矢量互相平行刃型位错交割 位错扭折 螺型位错 位错扭折 螺型位错 (2) 两个柏氏矢量互相垂直的刃型位错交割 图 两个柏氏矢量互相垂直刃型位错交割 位错割阶 刃型位错 (3) 刃型位错与螺型位错的交割 图 刃型位错与螺型位错的交割 位错割阶 刃型位错 位错扭折 刃型位错 (4) 螺型位错与螺型位错的交割 图 螺型位错与螺型位错的交割 位错割阶 刃型位错 位错扭折 刃型位错 (a)直角坐标； (b)圆柱坐标的正应力及切应力表示办法 图 物体中一点(图中放大为六面体)的应力分量 §2.1.3 位错的弹性性质（自学） 1.位错的应力场 位错的弹性性质是位错理论的核心与基础。它考虑的是位错在晶体中引起的畸变的分布及其能量变化。处理位错的弹性性质的方法，主要有：连续介质方法、点阵离散方法等。从理论发展和效果来看，连续介质模型发展得较成熟。 位错在晶体中的存在使其周围原子偏离平衡位置而导致点阵畸变和弹性应力场的产生。 在讨论位错的弹性应力场的基础上，可推算出位错所具有的能量、位错的作用力、位错与晶体其它缺陷间交互作用等问题。 图 位错的连续介质模型 （a）螺位错（b）刃位错 （1）螺位错的应力场 螺型位错周围只有一个切应变：γθz＝b/2πr 相应的各应力分量分别为 用直角坐标表示 螺位错的应力场的特点： 只有切应力分量，正应力分量全为零，这表明螺型位错不引起晶体的膨胀和收缩。 螺型位错所产生的切应力分量只与r有关（成反比），而与θ，z 无关。只要r一定，τθz就为常数。因此，螺型位错的应场是轴对称的，即与位错等距离的各处，其切应力值相等，并随着与位错距离的增大，应力值减小。 r→0时，τθz→∞，显然与实际情况不符，这说明上述结果不适用位错中心的严重畸变区。 （2）刃位错的应力场 图 刃位错周围的应力场 刃位错的应力场的特点： 同时存在正应力分量与切应力分量，而且各应力分量的大小与G和b成正比，与r成反比。 各应力分量都是ｘ，ｙ的函数，而与ｚ无关。这表明在平行与位错的直线上，任一点的应力均相同。 在滑移面上，没有正应力，只有切应力，而且切应力τxy