光电测试常用器件及检测电路分析报告.pptVIP

* 1）使用前应了解器件的特性 --- 灵敏度高、惰性小、供电电压 高、抗震性差（防震和高压下的安全性） 3）工作电流不宜过大 --- 烧毁阴极面，倍增极二次电子发射系 数下降，增益降低，光电线性变差，缩短寿命 2） 使用时不可用强光照射 --- 光照过强，光电特性的线性会变 差，而且容易使光电阴极疲劳，缩短寿命（一般工作电流 控制在0.1~几十?A以内） 4）测量交变光时，负载电阻不宜很大 --- 负载电阻大，时间常 数变大，频带变窄，影响动态特性（负载电阻和管子的等 效电容一起构成电路的时间常数） 5. 光电倍增管的使用要点 * 第4章 光电测试常用器件 及检测电路 * 光电检测器件 + 输入电路 + 前置放大器 （实现光电器件输出信号的精确检测） 光电转换的核心器件 （沟通光学量和电子系统的接口环节） （为光电器件提供正常的电路工作条件，同时完成与前置放大及耦合电路的电路匹配） 电信号经过的重要环节 中间环节 * 光电器件 --- 光信号转化为电信号（光电效应----物理基础） 光电成像器件 --- 输出图像/电视图像 光调制器件 --- 物理效应（实现光的变换、调制、扫描） 光子探测器 --- 光子效应 热电探测器 ---吸收光辐射导致温升产生温度变化效应转换为电信号 电光调制器 --- 电光晶体传播特性 声光调制器 --- 声光效应（电声换能器） 磁光调制器 --- 法拉第旋光效应 光电检测器件 * --- 定量描述光电器件输出的电信号与输入的光信号之间的关系 --- 电压灵敏度（V/W） 1. 探测灵敏度（响应度） 定义--- 光电器件输出的方均根电压/电流与入射的光通量之比 --- 电流灵敏度（A/W） 光源 --- 500K黑体 一、光电器件的性能参数 * --- 相对光谱响应表示 光谱响应 --- 光谱响应度R?随波长的变化关系 * --- 描述光电器件对入射辐射响应快慢的参数 2. 响应时间 时间常数? --- 衡量 响应从稳态值的10%上升到90%所用的时间 --- 上升时间tr 响应从稳态值的90%下降到10%所用的时间 --- 下降时间tf * 3. 频率响应 光电器件的响应随入射辐射的调制频率而变化的特性 --- 频率响应 R0 --- 器件在零频时的响应度；?=2?f为信号的调制圆频率； f为调制频率；?为响应时间 上限截止频率fc --- 输出信号功率降到零频时的一半（信号幅度下降到0.707） R(f)/R0=0.707 * --- 最小可测功率（输出信号电压的有效值等于噪声方均根电压值时的入射光功率） 4. 噪声等效功率（NEP） Us/Un---器件输出的信噪比； ?s---入射光功率； Rv---光电器件的电压灵敏度； 单位：W * 5. 探测度 探测度 --- NEP 的倒数 NEP 小 --- 器件性能好（衡量光电器件探测能力的指标） （W-1） D --- 描述器件在单位输入光功率下输出的信号信噪比 * 6. 量子效率 --- 描述光电转换器件光电转换能力的一个重要参数 （某一特定波长下单位时间内产生的平均光电子与入射光子数之比） 波长为?的光辐射的单个光子能量为 h?=hc/? 设光通量为?，则入射的光子数为?/h? 相应的光电流为Is，每秒产生的光电子数为Is/q（q---电子电荷） 量子效率 --- 微观灵敏度（统计平均量） ?（?）=1 --- 入射一个光量子就能发射一个电子/产生一对电子——空穴对（理论上） I * 二、光电发射器件及检测电路 1. 光电发射效应 若入射光辐射的光子能量足够大，它和金属或半导体材料中的电子相互作用的结果使电子从物质表面逸出，在空间作用下会形成电流 --- 外光电效应 --- 真空光电器件光电阴极工作的物理基础 ① 外光电效应的两个实验规律 a） 光电特性 光电流Ik与入射光通量?成正比（照射到光阴极上的入射光频率/频谱成分不变、外加电压一定） Ik--- 阴极光电流；? --- 入射光通量； Sk---阴极对入射光的灵敏度 --- 光电流与入射光通量的关系 * b） 阈值频率 光电子的最大初始动能： Emax---- 光电子的最大初动能；vmax---相应的电子最大初速度； m---电子质量；h----普朗克常数；?---光频 --- 与入射光的频率成正比，与入射光强度无关 什么时候发生光电发射？ W?---- 金属材料的电子逸出功（电子从金属材料表面逸出时所需的最低能量----与材料性质有关的常数）--- 功函数（eV） 入射光子能量 = 逸出功 ?0= W?/h --