薄膜物理第2章溅射镀膜解析.pptVIP

* 问题： 对于直流溅射来说，如果靶材不是良导体材料，而是绝 缘材料，正离子轰击靶面时靶就会带正电，使其电位上 升，离子加速电场就要逐渐变小，使离子溅射靶材不可 能，以至辉光放电和溅射停止。 机理： 可溅射绝缘体。 高频范围：5~30MHz（一般Rf＝13.56MHz ） 射频电势加在位于绝缘靶下面的金属电极上。在射频电势作用下，在交变电场中振荡的电子具有足够高的能量产生离化碰撞，放电达到自持。 如果在靶上施加的是射频电压，当溅射靶处于上半周期时，由于电子的质量比离子的质量小得多，故其迁移率很高仅用很短时间就可以飞向靶面，中和其表面积累的正电荷，并且在靶面又迅速积累大量的电子，使其表面因空间电荷呈现负电位，导致在射频电压的正半周期时也吸引离子轰击靶材。从而实现了在正、负半周期均可产生溅射。 5．磁控溅射 –低温高速溅射 溅射沉积方法缺点：沉积速度低、工作气压较高引起污染。 磁控溅射：提高沉积速率，降低工作气体压力。 磁控溅射中引入了正交电磁场，使离化率提高了5～6%，于是溅射速率可比三极溅射提高10倍左右。对许多材料，溅射速率达到了电子束蒸发的水平。 以磁场来改变电子的运动方向，并束缚和延长电子的运动轨迹，从而提高了电子对工作气体的电离几率和有效地利用了电子的能量。因此，使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅