射频电路设计七教案解析.ppt

射频电路设计 信息科学与技术学院 目 录 第一章 引言 第二章 传输线分析 第三章 Smith圆图 第四章 单端口网络和多端口网络 第五章 有源射频器件模型 第六章 匹配网络和偏置网络 第七章 射频仿真软件ADS概况 第八章 射频放大器设计 第九章 射频滤波器设计 第十章 混频器和振荡器设计 第七章有源射频元件 7.1二极管模型 7.2晶体管模型 7.3有源器件的测量 7.4用散射参量表征器件特性 7.1二极管模型 7．1．1 非线性二极管模型 典型的多可调参量(large-scale)的电路模型以同样方式处理PN结和肖特基二极管，如图7．1所示 由肖特基二极管方程的非线性I-V特性可得： 7.1二极管模型 引入温度的变化关系，发现： 热电压：VT=KT/q 反向饱和电流： 7．2晶体管模型 7．2晶体管模型 7．2晶体管模型 7．2晶体管模型 7．2晶体管模型 表7.4概括了MESFET的SPICE模拟参量： 与在6.4.3节所讨沦的1.5GHz的近似沟通渡越时间截然不同，此处具有较小的RC时间常数。换句话说，沟道渡越时间成为MESFET高速性能的限制因素‘， 如果令gm＝G0 这是常用的近似公式。 7．3．1 双极结晶体管的DC特性 用Ebers-Moll方程(7．10)式和(7．11)式进行分析，重新表示集电极和基极电流如下： 7．3有源器件的测量 要通过测量来确定的待定系数是Is、βR、 βF 。此外，当BJT工作在大的VCEl时，正向和反向Early电压VAN和VBN也是重要的量。为了把正向和反向电流增益的测量分开，我们采取如图7．27所示的两种测量方案。 正向测量：基极—集电极二极管是短路的(VBC＝o)，把式(7．46)简化为： 监测作为VBE函数的基极和集电极电流，其结果画成曲线示于图7．28中。 两种电流值都用对数画出。对足够大的VBE 值，上两式中括号内的指数项远大于1。 所以对两种电流都得到线性斜率1／VT。 从这两条曲线： 1、外推集电极电流，以求得截距lnIs(如图7．28所示)，从而可得Is。 2、从基极电流外推得1nIs-1nβF，由此可确定βF 。 从图7．28可看出：显然只在很窄的集电极—发射极电压范围内电流增益是常数。而对于低的和高的电流注入，都发生显著的偏离。Early效应被表示成集电极电流的线性梯度： 3、求出VAN。图7．12给出I c随VCE的变化曲线，对在饱和区中的集电极电流曲线求切线，切线的延伸线与VCE轴在第二象限相交，此截距即 -VAN。从图7．12还可看出：对于不同的基极电流，此截距都是相同的。 反向模式参量βR和VBN的确定是通过集电极与发射极端口的交换[见图7．27(b)，方法同上。 7．3有源器件的测量 7．3．2 双极结晶体管的AC参量的测量 AC参量的测量取决于所涉及的模型和所要求的细节，同样尽量引用大信号Ebers-Moll或Gummel-Poon电路元件。在此，集中于如图7.29所示的小信号、低频电路模型。 这个模型与表示在图7．14的混合π模型有联系，但没有输出反馈(h12=0）和电阻影响 r B ≈ r E ≈r C ≈ 0 在正向激活中的Q点，我们可导出与式(7．15)—式(7．20）相一致的以下参量： 跨导： 输入电容： 输出电阻： 输出电导： 由于存在Early效应，集电极电流由I c＝g m I B （ 1+VCE/VAN）给出。 选定了正向激活模式，Cπ代表扩散电容，并有基极—发射极二极管的正向渡越时间τbe。 7．3有源器件的测量 测量方案将按以下步骤进行： 1、●给定结温度下的跨导 2、●I电流增益 3、●输入电阻 是在特定的角频率下记录的，由此可求出电容Cπ 。 我们可更简洁地求出过渡频率f T ，从而求出Cπ，而不是用记录输入阻抗来间接地确定Cπ。 注意到在过渡频率f T 下，AC电流增益等于1： 4、●输出电阻 5、●输入阻抗 由β1 导出： 得 用网络分析仪，进行频率扫描，直到基极电流等于极电及电流，这样得到的过渡频率代入上式便可求出Cπ 7．3有源器件的测量 7．3有源器件的测量 上例可应用于低和中等频率，但当频率达到1GHz以上时，情况变得更为复杂。此时不能忽略Miller效应，必须求助于S参量的测量。见下例： 7．3有源器件的测量 此例说明：一旦频率超过100MHz，必须考虑反馈效应。 许多制造商只凭借S参量特性。利用适当的测试固定架或夹具并依靠网络分析仪，测量在一定偏置条件和工作频率下的S参量，这样的处理方法大为简化了BJT特