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③ 按引线形状 无引线:焊点、焊盘 有引线: TH 直插 外壳 芯片 L型 (翼型) J型 焊球 焊柱 扁平 I形(柱形) SMT 3.3 IC封装的生命周期 芯片尺寸封装 球栅阵列封装 倒装芯片 薄的缩小型SOP 薄 /小引脚中心距QFP 缩小型SOP 自动带载焊接 四边引脚扁平封装 小外形封装 J形引脚小外型封装 带引线的塑料芯片载体 针脚阵列封装 塑料双列直插式封装 带引脚的芯片载体 陶瓷DIP 目前世界上产量较多的几类封装 SOP (小外形封装) 55~57% PDIP(塑料双列封装) 14% QFP (PLCC ) (四边引线扁平封装) 12% BGA (球栅阵列封装) 4~5% 4.1 IC封装的发展趋势 IC封装产量仍以平均4~5年一个增长周期在增长。 2000年是增长率最高的一年(+15%以上)。 2001年和2002年的增长率都较小。 半导体工业可能以“三年养五年” ! 2003 2004 16.8~27.4% 4.2 技术发展趋势 △ 芯片封装工艺: 从逐个管芯封装到出现了圆片级封装,即先将圆片 划片成小管芯, 再逐个封装成器件,到在圆片上完 成封装划片后就成器件。 △ 芯片与封装的互连:从引线键合(WB)向倒装焊 (FC)转变。 △ 微电子封装和PCB板之间的互连: 已由通孔插装(PTH)为主转为表面贴装(SMT)为主。 ? 封装密度正愈来愈高 封装密度的提高体现在下列三方面: 硅片的封装效率 = 硅芯片面积/封装所占印制板面积 = Sd/Sp不断提高(见表1); 封装的高度不断降低(见表2); 引线节距不断缩小(见表3); 引线布置从封装的两侧发展到封装的四周,到封装的底面。 这样使单位封装体积的硅密度和引线密度都大大提高。 国际上IC封装的发展趋势如表4所示。 单芯片封装向多芯片封装的演变 (自动带载焊接) 芯片尺寸封装 (多芯片组件) 单级集成模块 表1.硅片封装效率的提高 年代 1970 1980 1990 1993 封装年代 DIP PQFP BGA/CSP DCA/CSP 封装效率Sd/Sp (2~7)% (10~30)% (20~80)% (50~90)% 表2.封装厚度的变化 封装形式 PQFP/PDIP TQFP/TSOP UTQFP/UTSOP 封装厚度(mm) 3.6~2.0 1.4~1.0 0.8~0.5 表3.引线节距缩小的趋势 年份 1980 1985 1990 1995 2000 典型封装 DIP,PGA SDIP,PLCC,BGA QFP QFP,CSP CSP,DCA 典型引线节距(mm) 2.54 1.27 0.63 0.33 0.15~0.050 各类封装在封装总量中所占的比例和IC封装引出端的分 布如表4、表5所示。 表4. 各类封装在封装总量中所占的份额(%) DIP SOP QFP BGA CSP 其他 1996年 28 47 13 1 1 12 1998年 15 57 12 1 1 12 2003年 12 56 12 1 7 7 表5. 集成电路封装引出端数的分布范围 引线数范围 ≤33 33~100 101~308 ≥308 1997年(估算值) 76% 18% 5% 1% 2003年(预测值) 68% 20% 10% 2% 引线节距的发展趋势 封装厚度比较 * 封装效率 封装效率 封装效率 封装效率 =2-7%(1970-) =10-30%(1980-) =20-80%(1990-) =50-90%(1993-) 封装效率的改进 4.3 中国是目前世界上半导体工业发展最快的国家之一。 近几年的产值平均年增长率在30%以上,世界10%。 中国国内半导体元器件的市场很大 中国已成为除美、日外,世界第三大电子信息产品 制造国,2010年后为第二。 据美国半导体行业协
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