传感器原理与应用第7章磁敏式传感器要点详解.ppt

将霍尔元件置于磁场中，左半部磁场方向向上，右半部磁场方向向下，从 a端通人电流I，根据霍尔效应，左半部产生霍尔电势VH1，右半部产生露尔电势VH2，其方向相反。因此，c、d两端电势为VH1—VH2。如果霍尔元件在初始位置时VH1=VH2，则输出为零；当改变磁极系统与霍尔元件的相对位置时，即可得到输出电压，其大小正比于位移量。 图7-25 磁敏三极管工作原理 N+ N+ e P+ x I r b c y H+ N+ N+ e P+ x I r b c H- y N+ N+ e P+ x r b y c I （a） (b) (c) 由此可知、磁敏三极管在正、反向磁场作用下，其集电极电流出现明显变化。这样就可以利用磁敏三极管来测量弱磁场、电流、转速、位移等物理量。 与普通晶体管的伏安特性曲线类似。由图可知，磁敏三极管的电流放大倍数小于1。 (1) 伏安特性 2. 磁敏三极管的主要特性 Ib=0 Ib=5mA 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 2 4 6 8 10 Uce/V Ic/mA Ib=4mA Ib=3mA Ib=2mA Ib=1mA Uce/V Ib=3mA,B=-1kG 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 2 4 6 8 10 Ic/mA Ib=3mA,B=0 Ib=3mA,B=1kG (1)为不受磁场作用时 (2)磁场为?1kGs 基极为3mA (2) 磁电特性 磁敏三极管的磁电特性是应用的基础，右图为 国产NPN型3BCM (锗)磁敏三极管 的磁电特性，在 弱磁场作用下， 曲线接近一条直线。 -3 -2 -1 1 2 3 4 5 B/0.1T ΔIc/mA 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 图7-27 3BCM 磁敏三极管的磁电特性 (3) 温度特性及其补偿 磁敏三极管对温度比较敏感，使用时必须进行温度补偿。对于锗磁敏三极管如3ACM、3BCM，其磁灵敏度的温度系数为0.8％/0C；硅磁敏三极管(3CCM)磁灵敏度的温度系数为-0.6％/0C 。因此，实际使用时必须对磁敏三极管进行温度补偿。 具体补偿电路如图所示。 当温度升高时，V1管集 电极电流IC增加．导致 Vm管的集电极电流也增 加，从而补偿了Vm管因 温度升高而导致IC 的下降。 对于硅磁敏三极管因其具有负温度系数，可用正温度系数的普通硅三极管来补偿因温度而产生的集电极电流的漂移。 EC R1 μA mA V1 Vm Re R2 补偿电路(a) 利用锗磁敏二极管电流随温度升高而增加的特性，使其作为硅磁敏三极管的负载，从而当温度升高时，可补偿硅磁敏三极管的负温度漂移系数所引起的电流下降。 W Vm U0 EC 补偿电路( b) 下图是采用两只特性一致、磁极相反的磁敏三极管组成的差动电路。这种电路既可以提高磁灵敏度，又能实现温度补偿，它是一种行之有效的温度补偿电路。 U0 W1 RL Vm1 Vm2 EC W2 RL Re 补偿电路 ( c) （4）频率特性 3BCM锗磁敏三极管对于交变磁场的频率响应特性为10kHz。 （5）磁灵敏度 磁敏三极管的磁灵敏度有正向灵敏度h+和负向灵敏度h-两种。其定义如下： 7.5 磁敏式传感器的应用 7.5.1 霍尔式传感器的典型应用 例7-1 检测磁场 检测磁场是霍尔式传感器最典型的应用之一。将霍尔器件做成各种形式的探头，放在被测磁场中，使磁力线和器件表面垂直，通电后即可输出与被测磁场的磁感应强度成线性正比的电压。 例7-2 霍尔位移传感器 常用霍尔传感器GaAs（砷化镓）和lnSb（锑化铟）介绍: 1.GaAs霍尔传感器的品质 ①霍尔电压的温度稳定性好 最大的优点是其在恒流工作时温度稳定性好，温度变化10℃，输出电压变化不超过 -0 .6％。 ②输出线性好 最大误差只有2%(1K与5K高斯霍尔电压的比)。完全可以满足一般的用途。 ③灵敏度低 与InSb霍尔传感器相比灵敏度低。大多数InSb霍尔传感器的输出电压较高，但这类传感器在500高斯左右开始达到饱和。 ④GaAs霍尔传感器的不平衡电压随温度变化较大。 在弱磁场中(10高斯以下)不如InSb霍尔传感器。 ?-0.06% ?-0.06% 温度系数 4元 4元 价格 450~900Ω 450~900Ω 输入电阻 65~170mv 50~120mv (1mA,1k高斯) 霍尔电压 GaAs GaAs 种类 THS106A THS103A 2.InSb霍