第9章现代CMOS工艺基本流程详解.ppt

MEMS的国内外概况 MEMS发展历史回顾 1947年：发明晶体管--技术基础 压力传感器： 54年：Si、Ge压阻效应 66年：机械研磨做硅腔 70年：各向同性腐蚀硅腔 76年：KOH 腐蚀，MEMS加工手段 80年代：集成式压力传感器 目前：新机理压力传感器 82年：美国U.C. Bekeley，表面牺牲层技术 微型静电马达成功 MEMS进入新纪元 九十年代初ADI的气囊加速度计实现产业化 90年代中：ICP的出现促进体硅工艺的快速发展 九十年代末Sandia实验室5层多晶硅技术代表最高水平 MEMS在军事领域的应用 军事领域是MEMS技术的最早应用点，对推动MEMS 技术的进步起到了很大作用 引信 安全、炮弹弹道修正、子母弹开仓控制、 侵彻点控制 单兵携带 雷达 战场毒气检测和救护 侦察：小飞机 后勤保障 用于武器制导和个人导航的惯性导航组合 用于超小型、超低功率无线通讯（RF 微米/纳米和微系统）的机电信号处理 用于军需跟踪、环境监控、安全勘察和无人值守分布式传感器 用于小型分析仪器、推进和燃烧控制的集成流量系统 武器安全、保险和引信 用于有条件保养的嵌入式传感器和执行器 用于高密度、低功耗的大量数据存储器件 用于敌友识别系统、显示和光纤开关的集成微光学机械器件 用于飞机分布式空气动力学控制和自适应光学的主动的、共型表面。 惯性 MEMS 航空、航天 航空：改进飞机性能、保证飞机安全舒适、减少躁声 航天：天际信息网、微重力测量 FLUDIC MEMS 信息领域 全光通信网：光开关和开关阵列、光可变衰减器、光无源互连耦合器、可调滤波器、光相干探测器、光功率限幅器、微透镜、光交叉连接器OXC、光分插复用器OADM和波分复用器 无线电话； MEMS电容、电感、传输线、RF MEMS滤波器、RF MEMS振荡器、MEMS移相器、微波收发机MEMS集成化射频前端 计算机；摄像头、鼠标 投影仪、喷墨打印机 数据存储 汽车工业 每部汽车内可安装30余个传感器： 气囊，压力、温度、湿度、气体等 微喷嘴 智能汽车控制系统 工业控制 化工厂 自动化控制中的探测器等 MEMS的应用 * * * * 薄膜形成： SiO2根据温度需要不同形成方法包括：。。。；光刻，根据曝光精度，可采用的光刻工艺。。。；掺杂工艺，，，；刻蚀工艺。。。。 * * Trench Oxide Polysilicon Cross Section N- Well P- Well N+ Source/Drain P+ Source/Drain Spacer Contact 平面视图 完成接触孔，多晶硅上的接触孔没有出现在剖面图上 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Ti (200?) - electromigration shunt TiN (500?) - diffusion barrier Al-Cu (5000?) - main conductor TiN (500?) - antireflective coating Metal1淀积 第一层金属淀积(Metal1) 实际上由多个不同的层组成 溅射工艺 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Photoresist 光刻胶成形 光刻胶成形 用于定义Metal1互连 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Photoresist Metal1刻蚀 Metal1刻蚀 基于氯的RIE 由于Metal1由多层金属组成，所以需要多个刻蚀步骤 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 除去光刻胶 * Trench Oxide Polysilicon Cross Section N-