电子工程物理基础.要点解析.ppt

* * * 对于突变结： * 耗尽层近似条件成立 正偏下： 其中 : 对于线性缓变结： ——扩散电容 (2) 扩散电容 也称电荷存储电容（charge storage capacitance ） 同理： 那么， 显然， CT与CD都与p-n结的面积A成正比，且随外加电压而变化。 （3）总电容 p-n结的总电容为两者之和： 大正向偏置p-n结时，以CD为主，Cj≈CD 小正向偏置或反向偏置p-n结时， 以CT为主，Cj≈CT 影响p-n结伏-安特性的主要因素： 产生偏差的原因： （1）正向小电压时忽略了势垒区的复合电流；正向大电压时忽略了扩散区的漂移电流和体电阻上的压降。 （2）在反向偏置时忽略了势垒区的产生电流。 三.p-n结的异常特性 1.p-n结I-V特性的非理想因素 空间电荷区的复合电流（正向） 注入p+-n结的n侧的空穴及其所造成的电子分布 大注入 （正向） 扩散区产生内建电场 空间电荷区的产生电流 （反向） 势垒区由热激发通过复合中心产生的电子-空穴对来不及复合就被强电场驱走了， 存在净产生。 势垒区的复合影响 大注入影响 势垒区的产生影响 2. p-n结的击穿(Berakdown) 在反向偏置下，当反向电压很大时， p-n结的反向电流突然增加，从而破坏了p-n结的整流特性-- p-n结的击穿。 禁带宽度较窄的半导体易发生这种击穿. p-n结中的电场随着反向电压的增加而增加，少数载流子通过反向扩散进入势垒区时获得的动能也就越来越大，当载流子的动能大到一定数值后，与中性原子碰撞时，可以把中性原子的价电子激发到导带，形成电子-空穴对——碰撞电离。 (1)雪崩击穿(Avalanche berakdown) 连锁反应，使载流子的数量倍增式的急剧增多，因而p-n结的反向电流也急剧增大，形成了雪崩击穿。 影响雪崩击穿电压的主要因素： 1.掺杂浓度: 掺杂浓度大,击穿电压小。 2.禁带宽度: 禁带宽度越宽,击穿电压越大。 3.温 度: 温度升高,击穿电压增大。 正温度系数 但，杂质浓度很高—势垒区宽度小—不易完成载流子加速过程—不利于雪崩倍增 禁带宽度大—碰撞电离产生电子-空穴对所需能量大—不利于雪崩倍增 温度升高—晶格振动散射增加—电子、空穴获得的能量易损失—不利于雪崩倍增效应 杂质浓度高—接触电势差大—载流子能够获得更大动能—利于雪崩倍增 (2)齐纳击穿(Zener berakdown)或隧道击穿 是掺杂浓度较高的非简并p-n结中的击穿机制. 根据量子力学的观点,当势垒宽度XAB足够窄时,将有p区电子穿透禁带.当外加反向电压很大时,能带倾斜严重,势垒宽度XAB变得更窄.造成很大的反向电流.使p-n结击穿. XD XAB 影响齐纳击穿电压的主要因素： 1.掺杂浓度:掺杂浓度大,击穿电压小. 2.禁带宽度:禁带宽度越宽,击穿电压越大. 3. 温度:温度升高,击穿电压下降。 负温度系数 杂质浓度高—势垒区宽度窄—隧道长度短—易发生隧道击穿 禁带宽度大—势垒区宽度大—隧道长度变长—不易隧道击穿 温度升高—禁带宽度变窄—势垒区宽度变小—隧道长度变短 齐纳击穿电压具有负的温度系数,而雪崩击穿电压具有正的温度系数,这种温度效应是区分两种击穿机构的重要方法. 掺杂浓度高,反向偏压不高的情况下,易发生齐纳击穿 反向偏压较高的情况下，易发生雪崩击穿. 结 论 例，Si、Ge： 齐纳击穿（隧道击穿） 雪崩击穿 两者均存在 当p-n结的两边都是重掺杂时: (1) 费米能级分别进入导带和价带. (2)势垒十分薄. 在外加正向或反向电压下,有些载流子将可能穿透势垒产生额外的电流. —隧道电流 平衡时 四.p-n结中的隧道效应 加正向电压的情况 加反向电压的情况 热平衡（无外加电压） 扩散电流 隧道二极管的优点： 温度影响小、高频特性良好 应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。 江崎二极管 单位时间通过p-n结的多子数目起伏小。 一般p-n结 电子穿过势垒极其迅速 隧道p-n结 隧道二极管的伏安特性 常用的隧道二极管脉冲电路 若选取R、E的不同数值，可作三种具有代表性的直流负载线 ： 负载线Ⅰ图（a)与伏安特性交于低压正阻区a点，它是稳定点，用于构成单稳电路。 负载线Ⅱ与伏安特性相交于负阻区的b点，它是不稳定点，用于构成多谐振荡电路。 负载线Ⅲ与伏安特性交于C、D、E三点，C、E为稳定点，D为不稳定点，用于构成双稳电路， 因此，选取不同的静态工作点负载线，就可获得不同类型的脉冲电路。 五. 异质结 电子亲和能 功函数 1. p-n型 2. n-p型 空穴耗尽