电子材料的电导.要点解析.ppt

* (2) PTC效应（电阻随温度升高而急剧增大） 在纯净BaTiO3陶瓷中引入微量的稀土元素，其常温电阻率可下降到10-2 ~ 104欧姆?厘米(属于半导体区间)。 与BaTiO3有关的半导化元素可分为两类： 一类为与Ba2+半径相近，化合价高于正二价的元素取代Ba2+位，而充当施主杂质，这类元素有正三价的La3+ （镧）, Sm3 +（钐）,Y3 +（钇）等。 另一类为与Ti4+半径相近 , 化合价高于正四价的元素取代Ti4+位充当施主杂质，如正五价的Nb5+ （铌）,Ta5 +（钽）,Sb5 +（锑）等元素。通过杂质的引入，导致主要成分中离子电价的变化，从而出现新的局部能级。 * 例如添加Y元素的BaTiO3原料在空气中烧结，其反应式如下： Y3 +占据晶格中Ba2+位置，但每添加一个Y3 +离子，晶体中多余一个正电荷，为了保持电中性， Ti4+俘获了一个电子，形成Ti3+ 。 这个被俘获的电子只处于半束缚状态，容易被激发后参与导电。 此外将BaTiO3 在还原气氛中烧结，也可制备出常温电阻率很低的半导体陶瓷。 * 价控型(不同价但同半径的元素掺杂使某一元素的价发生变化)BaTiO3半导体最大的特性是在材料的 正方相 → 立方相相变点（居里点）附近，电阻率随温度上升发生突变，增大了3~10个数量级。 施主掺杂的BaTiO3在居里温度 Tc 附近，电阻随温度的升高而急剧增大的现象,称为PTC效应。 * 图3.37为PTC陶瓷代表性的电阻率 ~ 温度特性曲线。 PTC现象是价控型BaTiO3多晶半导体所特有的性质。 BaTiO3单晶和还原型半导体都不具有这种特性。 * PTC现象的导电机理-----Heywang表面势垒模型理论: (1)在多晶BaTiO3半导体材料的晶粒边界存在一个由受主表面态引起的势垒层，其厚度为晶粒直径的1/50左右。 (2)该势垒高度φ0与材料的相对介电常数εr成反比。 * φ0 r * PTC陶瓷的电阻率可以用下式表示 ρ=ρ0exp(eφ0 /kT) 铁电体在居里温度以上的介电系数按居里-外斯定律下降 ε= C / (T-Tc) 式中，C 为居里常数，Tc 为居里温度。 * 由此可以看出，温度在居里点以下的铁电相范围内，ε 大， φ0 小，所以ρ就低； 温度超过居里点，ε 就急剧减少， φ0 变大，ρ就增大几个数量级。 该模型能较好地定性说明PTC现象。 ρ=ρ0exp(eφ0 /kT) ε= C / (T-Tc) * 铁电相：εr大，φ0小，ρ小； 顺电相： εr小，φ0大， ρ 大。产生PTC效应。 广泛应用于彩电、彩显、冰箱、空调、汽车的温度敏感元件、限电流元件和恒温发热元件等。 * 2 . p-n结电导 n型半导体的Ef位于禁带的上半部， p型半导体的Ef位于禁带的下半部。当二者结合形成 p - n 结时，因浓度梯度而产生如下扩散运动 空穴 p → n 电子 n → p 在p-n结附近形成由空间电荷区产生的内建电场，方向n → p 内建电场使电子、空穴作漂移运动，方向与扩散相反，最终二者达到平衡时,空间电荷区保持一定的宽度，称为平衡p-n结。 * 从能带的角度，当二者结合形成　p-n　结时，电子将从费米能级高的n区流向费米能级低的p区，空穴则相反，使n区　 Ef 　随n区能带一起下降，p区　 Ef 　随p区能带一起上升，直到二者 Ef 相等，即p-n结内有统一的费米能级 Ef 时达到平衡。 EC EV EF EF EV EC p n EC EV EF p EF EV EC n eVd * p 、n 型半导体相接触，由于Ef的不同，引起电子的流动，在接触面形成电荷积累，产生接触电势差Vd，形成势垒。 eVd为势垒高度，该势垒高度正好补偿了p区 、n区的费米能级之差，使平衡p-n结的费米