数字电路逻辑设计第七章解析.pptVIP

* * * * * １、二极管固定ROM 例7-4：如图电路，字线数与地址变量数的关系如何？存储容量是多少？地址变量与输出数据的关系如何？ 解：设 地址变量数为：n 字线数为： l 位线数为： m 存储容量为：M 7.4.1 固定ROM 则： l =2n = 22 = 4 M=l×m = 4×4=16Bit 　　也称4×4位 　　１、二极管固定ROM 　　⑵、地址译码器和存储距阵的点阵图 　　①、译码器点阵图中，地址线与字线交点处根据“与”的关系画点； 7.4.1 固定ROM 　　②、存储距阵点阵图中，字线与位线交点处有二极管的画点。 　　2、MOS管固定ROM 　　⑴、电路 7.4.1 固定ROM 　　①、将二极管ROM中的二极管用NMOS管代替； 　　②、输出缓冲器为三态控制的“非门”，故D与W是“或非”关系。 　　该电路的字线与位线的关系为： 　　其它与二极管故定ROM一样，有MOS管处存1，无MOS管处存“０”。 7.4.2 可编程ROM 1、一次性可编程ROM（PROM：Programmable Read-Only Memory ） 1、一次性可编程ROM（PROM：Programmable Read-Only Memory ） 　　产品出厂时，已经在存储距阵的所有交叉点上全部制作了存储元件，相当于在所有存储单元中都已存入了１。 　　用户编程时，只做“0”的写入，即把要存入“0”的那些存储单元的熔丝熔断。（见P307） 问题：PROM只能写入一次，一经写入，就不能被再修改。 7.4.2 可编程ROM 2．光可擦除可编程存储器EPROM 光可擦除可编程存储器EPROM(通常简称EPROM)是采用浮栅技术生产的可编程存储器，它的存储单元多采用N沟道叠栅M0S管，简称SIM0S管，其结构及符号如图所示。 利用浮栅是否积累负电荷来存取二值数据。 图 SIMOS管的结构和符号 * 　　为和固定ROM区别，可编程ROM的的存储单元在阵列图中用×表示，而不是点。 3、电可擦可编程ROM（EEPROM或E2PROM） 7.4.2 可编程ROM 　　EEPROM中的存储单元是一个Flotox（Floating gate Turnnel Oxide MOS)管。 　　进行“0”的写入时， Flotox管是利用隧道效应使浮栅俘获电子，与SIMOS管的雪崩效应不同，速度更快。 门控管 Flotox管 3、电可擦可编程ROM（EEPROM或E2PROM） 7.4.2 可编程ROM 　　EEPROM中的存储单元是一个Flotox（Floating gate Turnnel Oxide MOS)管。 　　EEPROM只需用高压脉冲就可擦除，不用紫外线照射。它也是利用隧道效应，擦除的速度很快，而且可只擦一个字或一些字，比EPROM灵活方便。 ４、快闪存储器（Flash Memory） 7.4.2 可编程ROM 　　快闪存储器中的存储单元是一个类似于SIMOS的管子，区别是浮栅与衬底间的氧化层的厚度比SIMOS管小， SIMOS管有30～40nm，它仅为10～15nm，相当于Flotox管的隧道效应。 　　快闪存储器既吸收了EPROM结构简单、变成可靠的优点，又具有EEPROM用隧道效应擦除的快捷特性，集成度可以做得很高。 　　缺点是只能全部存储单元同时擦除。 　　电源电压：+5V 编程高电压：+25V 工作最大电流：25mA 最大存取时间：450ns 7.4.4 EPROM集成片简介 2716为2K×8位的EPROM 　　2716 ~27512系列EPROM集成片，除了存储容量、编程高电压等参数不同外，其它都基本相同，故只介绍2716型。 7.4.4 EPROM集成片简介 2716为2K×8位的EPROM 数据线：8条，D0～D7 即每字8位。 地址线：11条，A0～A10 即每个地址寻找 1个字（8位）。 控制线：3条 ：片选/编程控制端 ：编程电压控制端 ：输出允许控制端 7.4.4 EPROM集成片简介 2716为2K×8位的EPROM 工作方式 输出D 读出 ０ ０ +5 数据输出 维持 １ × +5 高阻浮置 编程 　 １ +25 数据写入 编程禁止 ０ １ +25 高阻浮置 编程检验 ０ ０ +25 数据输出 宽50nm 详见P314 　　由ROM图知(RAM也类似)，字线就是组合逻辑函数中的最小项： 　　而位线是相应最小项之和： 　　故可将逻辑函数化成最小项之和形式，用ROM(或RAM)来实现。 7.4.3 利用