核辐射三大探测器-气体方案.ppt

电离室的输出电压信号的一般表达式可通过对上面得到的微分方程求解得到。 分几种情况加以讨论： （1）这里就可以看到，电子和离子对输出电压信号是否有贡献取决于输出回路的参数选择，输出回路的参数包括三部分内容。 为什么说：输出电压脉冲幅度与初始电离的位置有关？ 英文参考书的p152和p153页。 VAVGVB （1）正比计数器是上世纪40年代末发明的。 （2）A主要由正比计数器结构、充气、工作电压决定，可达106量级。 （3）正比计数器测量的能量下限可以很小，为低能辐射的测量开辟了一个新领域。 坪特性曲线可用三个指标衡量： 坪起始电压——VA 坪长 —— VB－VA 坪斜 —— 坪斜的成因： ② 随工作电压的增高，负电性气体的电子释放概率增加。 ③ 随工作电压的增高，灵敏体积增大。 ④ 随工作电压的增高，结构的尖端放电增加。 ① 随工作电压的增高，正离子鞘电荷量增加，淬熄不完善的可能性增加。 典型指标： 有机管：VA ＝ 1000V，(VB-VA)＝200V，坪斜＝5％/100V 卤素管：VA ＝ 400V，(VB-VA)＝100V，坪斜＝10％/100V 2) 探测效率 对用于带电粒子探测的钟罩型GM管，只要入射粒子进入灵敏体积，其探测效率可接近100％。 对用于探测?射线的圆柱型GM管，仅当次电子进入灵敏体积才能引起计数，其探测效率仅～1％。 3) 自熄GM管的“死时间”、“复原时间”及测量装置的“分辨时间” 复原时间te：从死时间到正离子被阴极收集，输出脉冲恢复到正常的时间。 死时间td：随正离子鞘向阴极漂移导致电场屏蔽的减弱，电子又可以在阳极附近发生雪崩的时间。 分辨时间tf：从“0”到第二个脉冲超过甄别阈的时间，与甄别阈的大小有关。 对由于死时间引起的计数损失，GM管不同于正比计数器： GM管中，由于正离子鞘覆盖了整个阳极丝，在第一个粒子引起的死时间内，不能产生新的雪崩，即每个入射粒子后跟随的死时间是固定的，属于非扩展型死时间。 在非扩展型情况中，探测器死时间在总时间中所占的部分为n?，n为记录到的计数率。设m为真事件的计数率，则损失的真事件的计数率就是nm?。 即： 得到： 4) 寿命 计数寿命： 有机管 ～108计数，卤素管 ～109计数； 搁置寿命： 卤素管中的卤素较活泼，寿命较短。 与甄别阈大小有关。 5) 输出回路对计数管特性的影响 在GM管中，尤其是对卤素管，其放电区域较大，电子漂移对输出信号的贡献比正比计数器要大，对放电终止有影响。尽可能减小分布电容有利于提高输出脉冲幅度，对放电终止也起到积极作用。 (1) 电流脉冲I(t)的形状一定，与入射粒子的位置无关；输出电压脉冲为定前沿脉冲。 结论： (2) 由于?～10-8s，即使t～100?，也就是输出电流降为初始的约1/100,也仅需要?s量级，可以获得快的响应时间特性。 (3) 当R0C0T＋时，获得最大输出脉冲幅度ANe/C0，但不管选取什么R0C0的值，电压脉冲幅度均正比于ANe。因此可选择小的输出回路时间常数，获得好的分辨时间。 1) 输出脉冲幅度与能量分辨率 输出脉冲幅度的涨落是一个二级串级型随机变量： 输出脉冲幅度： 3、正比计数器的性能 实验表明 ，所以，能量分辨率 影响正比计数器能量分辨率的其他因素： ① 阳极丝的均匀性。 ④ 电子学系统的影响。 ③ 末端效应和室壁效应。 ② 负电性气体的存在。 使不同区域A不同，故同样能量粒子在不同入射位置产生信号的大小不同。 使一些初级电子消失，影响输出脉冲幅度。 入射粒子能量未完全损失在灵敏体积。 放大器噪声等的影响。 2) 探测效率和坪特性 分辨时间(死时间) ? 主要由输出脉冲的宽度决定。脉冲越宽，死时间越大。 3) 分辨时间(死时间)?和计数率修正 在死时间 ? 内再产生的脉冲不会被记录，从而会造成计数的损失，为此必须考虑计数率的修正。 由于正比计数器的雪崩过程仅在丝极的局部发生，因此在一个雪崩进行的过程中，仍会有其他雪崩在不同位置产生的可能。这样，在第一个信号脉冲后?内又来第二个脉冲，第二个脉冲又将跟随一个? ，在此时间内产生的脉冲仍不被记录。 正比计数器的死时间属于可扩展型的。 两个相邻脉冲的时间间隔是一个连续型随机变量。对于平均计数率为m的相邻两脉冲的时间间隔小于? 的概率为： 与前一信号之时间间隔小于? 的脉冲将不被记录，由此，单位时间内由于分辨时间影响而丢失的计数为： 实际测量到的计数率为： 当： 可得到： 4) 时滞 时滞即初始电子产生处漂移到阳极附近所需的时间。同样具有随机性，而限制了时间的测量精度，称之为时间分辨本领。 测量粒子入射时刻的精确度，称为探测器的时间分辨本领。 注意