讲义-电子显微基础20130819教案分析.doc

第一部分 电子束与样品的作用 1.1 电子束与样品的作用体积 当高速运动的电子束打在样品表面，电子会穿透进入样品一定深度。由于样品原子的散射作用，电子将会向四周散开，再样品表面形成一定的入射宽度和深度。当样品由轻元素组成，电子穿透较深，并且留下“梨形”作用区，而当样品由重元素组成，最终得到球缺形作用区，如图1-1所示。 图1-1电子束与样品的作用体积 通过实验测试和分析发现，电子在样品中的穿透深度与电子的运动速度成正比，与样品的原子序数和密度成反比，可用KO公式表达。利用公式可以估算电子在已知样品上的作用深度，典型的数值列在表1中。轻元素和重元素样品上电子的穿透深度差别显著，例如在扫描电镜上常用20 kV的电压，可在Au样品上穿透0.86 um，在Cu样品上可穿透两倍深度（1.5 um），而在Al上可达到4.2 um深度。电压的作用也很明显，例如用30kV电压进行分析时，在铜样品上作用深度约3 个微米，降低电压到5 kV可以使信号限制在0.14微米范围。 表1 左边的Bethe Range 是采用物理理论计算的电子束作用深度，对比表中数据可以看到理论计算数值大于KO公式数值。 A为原子量 g/mol，E是入射束能量 KeV，Z为原子序数，ρ是样品密度 g/cm3 利用Monte Carlo Simulation可以清楚地展示电子穿透进入样品的深度和作用范围。从图1-2