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5.1 S3C2410X概述 主要内容 主要特性 系统结构 引脚信号 5.1 S3C2410X概述 S3C2410X是韩国三星公司推出的16/32位RISC微控制器,其CPU采用的是ARM920T内核,加上丰富的片内外设,为手持设备和其它应用,提供了低价格、低功耗、高性能微控制器的解决方案。 二、系统结构 主要由两大部分构成: ARM920T内核 片内外设。 1、ARM920T内核 由三部分:ARM9内核ARM9TDMI、32KB的Cache、MMU。 2、片内外设 分为高速外设和低速外设,分别用AHB总线和APB总线。 三、引脚信号 S3C微控制器是272-FBGA封装。 其信号可以分成: addr0---addr26、 Data0---data31、 GPA0---GPA22 GPB10、GPC15、 GPD15、GPE15、 GPF7、GPG15、 GPH10、EINT23、 nGCS0—nGCS7、 AIN7、IIC、SPI、 OM0---OM3 等,大部分都是复用的 5.2 S3C2410X的存储器 主要内容 存储器配置 存储器概述 控制寄存器 Flash及控制器 Flash控制器概述 控制器主要特性 控制器的寄存器 控制器的工作原理 5.2.1 S3C2410X的存储器配置 一、概 述 S3C2410X的存储器管理器提供访问外部存储器的所有控制信号:27位地址信号、32位数据信号、8个片选信号、以及读/写控制信号等。 S3C2410X的存储空间分成8组,最大容量是1GB,bank0---bank5为固定128MB,bank6和bank7的容量可编程改变。 bank0可以作为引导ROM,其数据线宽只能是16位和32位,复位时由OM0、OM1引脚确定;其它存储器的数据线宽可以是8位、16位和32位。 S3C2410X的存储器格式,可以为大端格式,也可以为小端格式。 二、存储器的控制寄存器 内存控制器为访问外部存储空间提供存储器控制信号, S3C2410X存储器控制器共有13个寄存器。 1、总线宽度和等待控制寄存器 back Tacs:设置nGCSn有效前地址的建立时间 00:0个;01:1个;10:2个;11:4个时钟周期 Tcos:设置nOE有效前片选信号的建立时间 00:0个;01:1个;10:2个;11:4个时钟周期 Tacc:访问周期 000:1个;001:2个;010:3个;011:4个时钟 100:6个:101:8个;110:10个;111:14个 Tcoh:nOE无效后片选信号的保持时间 00:0个;01:1个;10:2个;11:4个时钟 Tcah: nGCSn无效后地址信号的保持时间 00:0个;01:1个;10:2个;11:4个时钟 Tacp:页模式的访问周期 00:2个;01:3个;10:4个;11:6个时钟 PMC:页模式的配置,每次读写的数据数 00:1个;01:4个;10:8个;11:16个 注:00为通常模式。 注:紫色为某实验箱上的配置,其值为0x0700 MT:设置存储器类型 00:ROM或者SRAM,[3:0]为Tacp和PMC; 11:SDRAM, [3:0]为Trcd和SCAN; 01、10:保留 Trcd:由行地址信号切换到列地址信号的延时时钟数 00:2个时钟;01:3个时钟;10:4个时钟 SCAN:列地址位数 00:8位; 01:9位; 10:10位 REFEN:刷新控制。 1:使能刷新;0:禁止刷新 TREFMD:刷新方式。 1:自刷新 0:自动刷新 Trp:设置SDRAM行刷新时间(时钟数) 00:2个时钟;01:3个;10:3个;11:4个时钟 Tsrc:设置SDRAM行操作时间(时钟数) 00:4个时钟;01:5个;10:6个;11:7个时钟 注: SDRAM的行周期= Trp + Tsrc。 Refresh_count:刷新计数值 Refresh_count:刷新计数器值 计算公式: 刷新周期=(211- Refresh_count+1)/HCLK 例子:设刷新周期=15.6μs,HCLK=60MHz 则 刷新计数器值=211+1-60×15.6=1113 1113=0x459=0b10001011001 高24位未用。 BURST_EN:ARM突发操作控制 0:禁止突发操作;1:可突发操作 SCKE_EN:SCKE使能控制SDRAM省电模式 0:关闭省电模式;1:使能省电模式 SCLK_EN:SCLK省电控制,使其只在SDRAM访问周期内使能SCLK 0
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