基于sc的嵌入式系统硬件结构设计剖析.ppt

5.1 S3C2410X概述 主要内容 主要特性 系统结构 引脚信号 5.1 S3C2410X概述 S3C2410X是韩国三星公司推出的16/32位RISC微控制器，其CPU采用的是ARM920T内核，加上丰富的片内外设，为手持设备和其它应用，提供了低价格、低功耗、高性能微控制器的解决方案。 二、系统结构 主要由两大部分构成： ARM920T内核 片内外设。 1、ARM920T内核 由三部分：ARM9内核ARM9TDMI、32KB的Cache、MMU。 2、片内外设 分为高速外设和低速外设，分别用AHB总线和APB总线。 三、引脚信号 S3C微控制器是272-FBGA封装。 其信号可以分成: addr0---addr26、 Data0---data31、 GPA0---GPA22 GPB10、GPC15、 GPD15、GPE15、 GPF7、GPG15、 GPH10、EINT23、 nGCS0—nGCS7、 AIN7、IIC、SPI、 OM0---OM3 等，大部分都是复用的 5.2 S3C2410X的存储器 主要内容 存储器配置 存储器概述 控制寄存器 Flash及控制器 Flash控制器概述 控制器主要特性 控制器的寄存器 控制器的工作原理 5.2.1 S3C2410X的存储器配置 一、概 述 S3C2410X的存储器管理器提供访问外部存储器的所有控制信号：27位地址信号、32位数据信号、8个片选信号、以及读/写控制信号等。 S3C2410X的存储空间分成8组，最大容量是1GB，bank0---bank5为固定128MB，bank6和bank7的容量可编程改变。 bank0可以作为引导ROM，其数据线宽只能是16位和32位，复位时由OM0、OM1引脚确定；其它存储器的数据线宽可以是8位、16位和32位。 S3C2410X的存储器格式，可以为大端格式，也可以为小端格式。 二、存储器的控制寄存器 内存控制器为访问外部存储空间提供存储器控制信号， S3C2410X存储器控制器共有13个寄存器。 1、总线宽度和等待控制寄存器 back Tacs：设置nGCSn有效前地址的建立时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟周期 Tcos：设置nOE有效前片选信号的建立时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟周期 Tacc：访问周期 000：1个；001：2个；010：3个；011：4个时钟 100：6个：101：8个；110：10个；111：14个 Tcoh：nOE无效后片选信号的保持时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟 Tcah： nGCSn无效后地址信号的保持时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟 Tacp：页模式的访问周期 00：2个；01：3个；10：4个；11：6个时钟 PMC：页模式的配置，每次读写的数据数 00：1个；01：4个；10：8个；11：16个 注：00为通常模式。 注：紫色为某实验箱上的配置，其值为0x0700 MT：设置存储器类型 00：ROM或者SRAM，[3：0]为Tacp和PMC； 11：SDRAM， [3：0]为Trcd和SCAN； 01、10：保留 Trcd：由行地址信号切换到列地址信号的延时时钟数 00：2个时钟；01：3个时钟；10：4个时钟 SCAN：列地址位数 00：8位； 01：9位； 10：10位 REFEN：刷新控制。 1：使能刷新；0：禁止刷新 TREFMD：刷新方式。 1：自刷新 0：自动刷新 Trp：设置SDRAM行刷新时间（时钟数） 00：2个时钟；01：3个；10：3个；11：4个时钟 Tsrc：设置SDRAM行操作时间（时钟数） 00：4个时钟；01：5个；10：6个；11：7个时钟 注： SDRAM的行周期= Trp + Tsrc。 Refresh_count：刷新计数值 Refresh_count：刷新计数器值 计算公式： 刷新周期=（211- Refresh_count+1）/HCLK 例子：设刷新周期=15.6μs，HCLK=60MHz 则 刷新计数器值=211+1-60×15.6=1113 1113=0x459=0b10001011001 高24位未用。 BURST_EN：ARM突发操作控制 0：禁止突发操作；1：可突发操作 SCKE_EN：SCKE使能控制SDRAM省电模式 0：关闭省电模式；1：使能省电模式 SCLK_EN：SCLK省电控制，使其只在SDRAM访问周期内使能SCLK 0