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IGBT的关断过程 关断延迟时间td(off) ——从uGE后沿下降到其幅值90%的时刻起，到iC下降至90%ICM 。 电流下降时间——iC从90%ICM下降至10%ICM 。 关断时间toff——关断延迟时间与电流下降之和。 电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段。tfi1——IGBT内部的MOSFET的关断过程，iC下降较快；tfi2——IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，iC下降较慢。 3. IGBT的主要参数 1) 最大集射极间电压UCES ——由内部PNP晶体管的击穿电压确定。 2)? 最大集电极电流 ——包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 。 3) 最大集电极功耗PCM ——正常工作温度下允许的最大功耗 。 IGBT的特性和参数特点可以总结如下： (1)??开关速度高，开关损耗小。在电压1000V以上时，开关损耗只有GTR的1/10，与电力MOSFET相当。 (2)?相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力。 (3)??通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域。 (4)?? 输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。 (5) 与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点 。 4. IGBT的擎住效应和安全工作区 仔细观察IGBT的内部结构，会发现