01-第一章-半导体中的电子状态.ppt

课程简介 课程性质 半导体研究领域的专业基础课 课程特点 内容广、概念多、注重的解决实际问题 课程要求 着重物理概念及物理模型 基本的计算公式 每章结束后要做课堂测验 半开卷，占总成绩的30％ 教材 《半导体物理学》（第七版），刘恩科 参考书 半导体物理学 叶良修 半导体的发展历史 第一阶段：现象观察(1833-1931年) 1833年：M.Faraday发现半导体所具有的负电阻温度系数 第四阶段：集成电路出现 1958年：杰克-S-基尔比发明第一块集成电路 上海IC产业发展战略目标 第一章 半导体中的电子状态 晶体中能带的形成 晶体中的能带 金刚石晶体的能带 半导体、导体、绝缘体的能带 晶体中的电子能量状态 黄仕华 时间：每周二1-2节，周四1-2节 地点：25-404 办公地点：数理学院南楼309室 科研实验室：28幢418,318，28幢5楼西边 电话669297（短号） E-mail: huangshihua@zjnu.cn 固体物理 量子力学 统计物理 半导体物理 半导体材料 半导体器件 半导体工艺 集成电路 什么是半导体(semi-conductor)？ 导 体 半 导 体 绝缘体 10-6～ 10-4 电阻率r (Wcm) 10 －4～ 10 10 10 10 S L 半导体的主要特征:电阻率可在很大范围内变化 杂质对半导体电阻率的影响 硅 绪言 光、压力、磁场等对半导体 电阻率都产生较大的影响。 温度对半导体的影响 纯硅: T=300K ρ=2x 105 Wcm T=320K ρ=2 x 104 Wcm 太阳能电池 压力传感器 霍尔传感器 1873年：W.Smith 首次发现半导体的光电导效应 1874年：F.Braun 首次发现半导体的整流效应 1879年：Hall首次发现 Hall效应（半导体 RH0, RH0) 1883年：制造出硒整流器 1927年：制造出氧化亚铜整流器 1931年：H.Dember 首次发现了光电池效应 第二阶段：理论指导 1931年：A.H.Wilson 通过解薛定谔方程发展了能带理论 1942年前后，多位科学家提出了基本类似的整流理论 第三阶段：晶体管诞生 1947年：Bardeen等人制造了第一个晶体管 1956 诺贝尔 John Bardeen William Bradford Shockley Walter H. Brattain 晶体管的三位发明人：巴丁、肖克莱、布拉顿 1966年：形成大规模集成电路 1971年: 英特尔公司研制出 第一块CPU集成电路 4004(4位) 1973年: 8008(8位)； 1978年: 8086(16位)；…… 2000 诺贝尔 Moore定律: 晶体管数目每18个月增长一倍，2011年5月Intel在22nm工艺节点实现了3D三栅极晶体管制造技术。 回顾历史，我们惊叹于半导体工艺的飞速发展。正如最近Intel公司总裁兼执行长保罗·欧德宁所说，“摩尔定律并不是自然规律，而是一种持续创新的期望。”摩尔定律驱动我们不断寻求创新、突破。 正是基于这样的指导思想，使得晶体管的制造成本从开始到现在改进了千万倍，成就了一个几千亿美元的半导体工业，推动了整个电子工业的高速发展。 美国时代杂志在2011年2月份有一封面文章谈到，人们的思维习惯于线性外推，可现实的很多事情的发展都是指数级，超出常人能够理解的范围。 就说最日常的手机，比40年前的计算机强大上千倍，却只有百万分之一的尺寸，百万分之一的成本。我们能够想象40年后这个世界会是什么样的吗？ 沟道长度(微米) 微电子 - 纳电子 2010年总投资量600亿美元，建成20 ~ 40条生产线，200个设计公司及20家封装/测试厂 带动上海700亿美元相关产业发展，成为第一大产业 上海中芯国际：14.76亿美元，8英寸，0.25微米 上海宏力：16.37亿美元，8英寸，0.25微米 上海贝岭：7.88亿元， 6英寸， 0.5 ~ 0.35微米 GaAs AlGaAs GaAs GaAs AlGaAs ... ... E 导带 价带 超晶格、量子阱 第五阶段：能带工程提出 1970年：Esaki(江琦〕提出超晶格半导体的概念 1971年：生长出GaAs/AlGaAs 超晶格材料 E 导带 价带 AlGaAs GaAs 高速器件 光电子器件 高速器件 光电子器件 Sony Announces Important Milestone in Blue-Green Semicon