发光讲稿分析报告.ppt

（18.2亿USD） GaN 发射光谱 YAG:Ce3+的激发光谱和发射光谱 450 575 ?/nm 500 400 450 450 二基色：蓝+黄＝ 白 Ce3+ GaN 白光的产生 其它有前景的白光LED荧光粉 LaSi3N5:Eu2+, O2-, Ba2Si5N8:Eu2+ NaM(WO4)2x(MoO4)x:Eu3+ (M=Gd, Y, Bi) BixLn1-xVO4:Eu3+/Sm3+ (Ln=Y, Gd) 基本原则：基质含VO4, WO4, MoO4 等或宽带发光颜色可变的离子：Bi3+, Eu2+，这些离子或酸根来吸收半导体芯片的发光而被激发，再结合其自己的发光或其它稀土离子的发光产生所需要的颜色。 * 稀土发光材料讲座－ 基本知识与最新进展 林君 中科院稀土化学与物理重点实验室 第二部分：稀土发光材料的新进展 2. 1 历史回顾 2. 2 上转换发光与量子剪裁 2. 3 PDP、FED发光材料 2. 4 白光LED用稀土发光材料 2. 5 稀土纳米发光材料 2. 6 软化学方法制备多种形态光学材料 2. 1 历史回顾 白光荧光粉 1938 1972 目前有重要应用价值的荧光粉 2. 1 上转换发光与量子剪裁 下转换发光－高能量激发产生低能量发射，遵循Stokes 定律 UV（EX）?Vis，NIR（EM），多数发光 属于此种情况 上转换发光－低能量激发产生高能量发射，反Stokes 定律 NIR （EX）?Vis（EM），比较常见 量子剪裁（quantum cutting)－属于下转换发光，但发光量子效率超过100％（有时可达到200％），即发射的量子数超过吸收的量子数。可以在某些特殊情况下发生。 能量传递 上转换 YF3： Yb3+, Er3+ 两步吸收 上转换 SrF2：Er3+ 协同敏化 上转换 YF3： Yb3+, Tb3+ 协同发光 上转换 YbPO4 倍频 上转换 KH2PO4 双光子吸收上转换 CaF2：Eu2+ 上转换发光的几种类型 两种常见的上转换情况 量子剪裁的几种类型 量子效率＝145％ 利用一种离子的量子剪裁 LiGdF4: Eu3+体系中的量子剪裁 Science, 1999, 283:663-665 利用两种离子的量子剪裁 ?ex = 273nm Gd3+:6I 5D0/5D1,2,3=3.4 Normal branch Ratio(激发5D3以上 Eu3+或通过Gd3+ 传能是一样的 ?ex = 202nm Gd3+: 6G 5D0/5D1,2,3=7.4 5D0发射有额外 增长。 LiGdF4: Eu3+发射光谱 PCR/(PCR+PDT) = 0.9 ?q =190% ?em = 614nm Eu3+: 5D0-7F2 ?em = 554nm Eu3+: 5D1-7F2 LiGdF4: Eu3+ 激发光谱 2. 2 PDP、FED发光材料 平板显示 *FED **PDP **EL *OLED **LCD * 研发阶段 **商业化 2.2.1 PDP显示及其所用发光材料 Promising for large format displays Basically fluorescent tubes High-voltage discharge excites gas mixture (He, Xe) Upon relaxation VUV light is emitted VUV light excites phosphors Large viewing angle PDP (Plasma Display Panel) 基本原理及优点 Less efficient than CRTs Not as bright More power Large pixels (~1mm compared to 0.2mm for CRT) Ion bombardment depletes phosphors PDP的不足 PDP显示基本原理 PDP的发展现状 三代PDP性能对比 PDP荧光粉的主要问题与进展 10000h 持续－no problem 30000-50000h－difficult 蓝粉：BAM，BaMgAl10O17:Eu2+ damage by VUV 红粉：(Y, Gd, Eu)BO3 , 595nm, 色纯度问题 绿粉: (Zn, Mn)2SiO4 , 余辉问题，发光寿命长 PDP荧光粉研究热点 (1)上述问题