实验二高温超导材料物理特性测试.docVIP

实验二 高温超导材料物理特性测试 一.实验目的 1. 了解高临界温度超导材料的基本特性及其测试方法． 2. 了解金属和半导体pn结的伏安特性随温度的变化以及温差电效应． 3. 学习几种低温温度计的比对和使用方法，以及低温温度控制的简便方法． ?二、实验原理 电阻随温度的变化的性质，对于各种类型的材料是很不相同的，它反映了物质的内在属性，是研究物质的基本方法之一。 1．高临界温度的超导电性 ? 当物质的温度下降到某一确定值TC（临界温度）时，的电阻率由有限值变为零的现象称为零电阻现象，也称为物质的完全导电性。临界温度TC是一个由物质本身内部性质确定的、局域的内禀参量。若样品很纯，且结构完整，超导体在一定温度下，由正常的有阻状态（常导态）急剧地转为零电阻状态（超导态），如图的曲线Ⅰ。在样品不纯或不均匀情况下，超导转变所跨越的温区会展宽，如图1的曲线Ⅱ。 图 2-1 超导体的电阻转变曲线 TC，它取决于材料的纯度晶格的完整性。理想样品的△TC≤10-3K。基于这种电阻变化，可以通过电测量来确定TC，通常是把样品的电阻降到转变前正常态电阻值一半时的温度定义为超导体的临界温度TC。实际测量中温度由低到高降温，同时可测得从高到底的升温过程，可得出这两个过程并不会重合 2金属电阻随温度的变化 金属电阻(Matthiessen Rule)，即总的电阻包括金属的基本电阻和溶质(杂质)浓度引起的电阻(与温度无关)，用下式表示： R=R(T)+ R( (2-1) 式中(T)为与温度有关的金属基本电阻，即溶剂金属(纯金属)的电阻；(为决定于化学缺陷和物理缺陷而与温度无关的残余电阻。r (T) R(，因此有Ｒ≈Ｒ(T)。例如，铂的德拜温度ΘD为225Ｋ，在63K到室温的范围内，它的电阻Ｒ≈Ｒ(T)近似地正比于温度T。然而，稍许精确的测量就会发现它们偏离线形关系，如图2所示。 R（T）＝AT＋B T（R）＝aR＋b A、B和a、b是不随温度变化的常量。因此，根据我们给出的铂电阻温度计在液氮正常沸点和冰点的电阻值，可以确定所用的铂电阻温度计的A、B和a、b的值，并由此可得到用铂电阻温度计测温时任一电阻所相应的温度值。另外，A、B和a、b还与铂的型号有关，不同型号的铂，对应的A、B和a、b的值不同。 图 2-2 铂电阻的温度关系 3 半导体锗的电阻温度关系 ? 3、半导体电阻以及PN结的正向电压随温度的变化 半导体具有与金属很不相同的电阻温度关系。一般而言，在较大的温度范围内，半导体具有负的温度系数。半导体导电的机制比较复杂，电子和空穴是致使半导体导电的粒子，则除了本征激发外，还有所谓的杂质激发也能产生载流子，因此具有比较复杂的电阻温度关系。如图2-3所示，锗电阻温度计的电阻温度关系可以分为四个区。在Ⅰ区中，半导体本征激发占优势，它所激发的载流子的数目随着温度的升高而增多，使其电阻随着温度的升高而指数下降。当温度降低到Ⅱ和Ⅲ区时，半导体杂质激发占优势，在Ⅲ区中温度开始升高时，它所激发的载流子的数目也是随着温度的升高而增多的，从而使其电阻随温度的升高而指数下降；但当温度升高而进入Ⅱ区中时，杂质激发已全部完成，因此当温度继续升高时，由于晶格对载流子散射作用的增强以及载流子热运动的加剧，所以电阻随温度的升高而增大。最后，在Ⅳ区中温度已经降低到本征激发和杂质激发几乎都不能进行，这时靠载流子在杂质原子之间的跳动而在电场下形成微弱的电流，因此温度越高电阻越低。适当调整掺杂元素和掺杂量，可以改变Ⅲ和Ⅳ这两个区所覆盖的温度范围以及交接处曲线的光滑程度，从而做成所需的低温锗电阻温度计。此外，硅电阻温度计、碳电阻温度计、渗碳玻璃电阻温度计和热敏电阻温度计也都是常用的低温半导体温度计。显然，在大部分温区中，半导体具有负的电阻温度系数，这与金属完全不同的。 PN结的正向电阻随着温度的降低而升高，如图4所示。由图可见，用一支二极管温度计就能测量很宽范围的温度，且灵敏度很高。由于二极管温度计的发热量较大，常把它作为控温元件。 图 2-4 二极管的正向电压温度关系 4、温差电偶温度计 77.4K,则可以由所测量得到的温差电动势确定回路的另一个接触点的温度。 .硅二极管PN结的正向电压U和温差电动势E随温度T变化都不是线性的( 1 ) 低温恒温器(俗称探头，其核心部件是安装有高临界温度超导体、铂电阻温度计、硅二极管温度计、铜-康铜温差电偶及25 ( 锰铜加热器线圈的紫铜恒温块)； ( 2 ) 不锈钢杜瓦容器和支架； ( 3 ) PZ158型直流数字电压表(5 1/2位,1 (V)； ( 4 ) BW