第六章技术磁化理论汇总.pptVIP

4、小结： 1)、单畴颗粒在三种各向异性作用下的Hc公式 a、磁晶各向异性作用下 单畴颗粒 θ0 HC 单轴晶体 900 0 1350 1800 取向分散的多颗粒材料 立方晶体 K10 1800 K10 1800 K10 取向分散的多颗粒材料 b、形状各向异性作用下 单畴颗粒 θ0 Hc ab 1800 (Nb - Na)Ms 椭球 ab 混乱分布 0.479(Nb - Na)Ms ab 1800 Ms / 2 c、应力各向异性作用下 单畴颗粒 θ0 Hc 1800 混乱分布 2)、可见，要提高Hc，必须设法提高至少一种各向异性 3)、Ms高的材料，其由形状各向异性决定的Hc最大，如Fe； K1大的材料，其由磁晶各向异性决定的Hc最大，如Co； λs大的材料，其由应力各向异性决定的Hc最大，如Ni； 所以，为获得高Hc，可利用其不同的特点。 4)、由前面的讨论可知： 四、缺陷对Hc的影响： 通过它的形状不同（体缺陷、面缺陷、线缺陷、点缺陷），直接控制Hc 通过缺陷本身的交换积分常数A、K1、 λs及M0与基体不同来影响Hc。 晶格的不完整性（缺陷）对磁性的影响有长、短程两种： 长程：影响Fσ、Fd的变化（位错、非磁性参杂、磁矩与基体不同的脱溶物等）。 短程：使Eex、Fk改变，能阻碍畴壁运动（晶粒边界、堆垛层错、反