第四讲 直流特性扫描分析与PROBE.pptVIP

Probe模块的窗口界面 * * PSpice分析过程: 绘制原理图 设置仿真参数 运行仿真 观测并分析仿真结果 直流工作点分析 Bias Point Detail : 主要包括： 各个节点电压； 流过电压源的电流； 总功耗； 半导体器件的线性化参数； 直流灵敏度分析 DC Sensitivity 节点直流电压: 电阻、 独立源、 控制开关、 二极管、 双极晶体管参数  直流传输特性分析 TransferFunction 直流工作点 处作线性化处理， 输出端和输入端直流电压之比 输入电阻 输出电阻 功能: 直流特性扫描分析的作用是分析电路对直流信号的响应。 参数设置： 指定自变量和参变量并设置其变化情况. 选择DC分析，出现直流特性扫描分析参数设置框，如下图： 直流特性扫描分析（DC分析） Sweep variable：直流扫描自变量类型 Increment、Points/Decade、Points/Octave：参数线性变化时的增量，以对数变化时倍频的采样点。 注意： 1. 自变量必须为直流变量； 2. 仿真时对自变量在电路中具体取值不起作用 3. 选择Octave或者Decade方式变化，Start必须大于0； 4. options选项可以实现参变量的设置，但一定要选中； 5.正确加载输出结果为波形。 1. 绘制原理图 增强型场效应管在PWRMOS库中的M2N665，或者选取BREAKOUT库中的Mbreak元件。 2. 基本参数 自变量 设置 3. 参变量参数设置 4. 输出结果 电源Vi默认的DC元件属性为0，不去改变它。因为它只在偏压点分析（Bias Point 作用 OrCAD/PSpice9直流扫描分析的应用 —二极管V-I特性曲线 步骤一：设置DC Sweep 直流扫描分析参数 设置主扫描变量为电压源Vi,由-110V开始扫描直到10V，每隔0.01V记录一点。 步骤二：存档并启动PSpice执行仿真 1、在打开的Probe窗口空图，先调整X轴变量Vi为-110- 10V。可以直接在X轴位置双击鼠标左键或是用Plot\Axis 2、选择Trace\Add 左边选项Simulation Output Variables栏内的“I（D1）” 3、调整横轴与纵轴坐标以便观察门坎电压值。 选PLot\Axis Settings...功能选项或直接X轴坐标刻度上双击左键来打开Axis Settings对话框。 X Axis页内Data Rangs栏下的User Defined值设为0-2V， Y Axis页内Data Rangs栏下的User Defined值设为0-5A。 结果：门坎电压约为0.7V。 4、 再将X轴坐标刻度值设为-101V到-99V， 将纵轴坐标调整为-5A到1A， 结果：其雪崩电压约为100V。 步骤一 绘出电路图 元件 元件库 元件编号 元件种类 元件设定 Q1 eval.olb Q2N2222 三极管 Vcesource.olbVdc直流电压源DC 0V Ib Source.olb Idc 直流电流源 DC 0A 0 Capsym.olb GND 接地元件 直流扫描分析的应用 —晶体三极管的输出特性曲线 电压源Vce和电流源Idc的元件属性默认都为0 步骤二 设置直流扫描分析和直流嵌套扫描的参数 主扫描变量为Vce，副扫描变量为Ib。 Options栏内勾选Primary Sweep 选项 设置副扫描参数 在Options栏内勾选Secondary Sweep选项， 除了X轴变量Vce已经在DC Sweep的设置设为0-4V之外， Y轴变量则等待着输入选择。 步骤三 存档并执行PSpice仿真 选择Trace\Add 在Add Traces在对话框左Simulation Output Variables栏内的“Ic（Q1）”处单击鼠标左键， PSpice窗口的输出波形区出项如图所示五条曲 线。 Ib将在0mA、0.1mA、0.2mA、0.3mA、0.4mA和0.5mA各扫出一线。 当Ib为0.1mA时，Ic为17.8mA，所以β为17.8/0.1 178。 例：以自变量为Model parameter为例，对于下示电路，对模型Q2N2222的参数BF进行DC Sweep，参数设置如上图所示，对BF的值从200分析到300，自变量以线性增长，增量为10。 Model parameter：以模型参数为自变量 对于使用Global parameter参数，必须在原理图中调用一个器件：Capture\Library\PSpice\Special库中的PARAM器件。然后对PARAM器件添