LED100问.docVIP

2、何谓电致发光？半导体发光为何属冷光 所谓电致发光是一种直接电能转换成光能的过程。这种发光不存在尤如白炽灯那样先将电能转变成热能，继而使物体温度升高而发光的现象，故将这种光称之为冷光。通常有二种电致发光现象，EL屏是利用固体在电场作用下的发光现象所制成的光源，荧光材料在电场作用下，导带中的电子被加速到足够高的能量并撞击发光中心，使发光中心激发或电离，激活的发光中心回到基态或与电子复合而发光，荧光材料（ZnS）中不同的激活剂决定了发光的颜色。第二类电致发光又称之为注入式场致发光，LED与LD就属于这类发光过程。电致发光实际上也是一种能量的变换与转移的过程。电场的作用使系统受到激发，将电子由低能态跃迁到高能态，当他们从高能态回到低能态时，根据能量守衡原理，多余的能量将以光的形式释放出来，这就是电致激发发光。发光波长取决于电子的能量差： △E=hν=h·c/λ=1.24λ （2-1） 其中△E= E1 —E2 ，E是发射光子所具有的能量，以电子伏特为单位。λ为光子波长，以毫微 米为单位。由式（2-1）可知，激发电子的能量差△E越高，所发出的电子波长就越短，颜色发生蓝移，所之，激发电子能量差变小，所发光子的波长就会红移。 6、如何描述LED的基本特性？ LED作为一个电致发光的P-N结器件，其特性可通该P-N结的电学参数，以及作为一个 发光器件的光学参数来进行描述。 伏安特性是描述一个P-N结器件的重要参数，它是P-N结性能，P-N结制作工艺优劣的 重要标识。所谓伏安特性，即是流过P-N结的电流随电压变化的特性，在示波器上能十分形象地展示这种变化。一根完整的伏安曲线包括正向特性与反向特性。通常，反向特性曲线变化较为陡峭，当电压超过某个阈值时，电流会出现指数式上升。通常可用反向击穿电压，反向电流和正向电压三个参数来进行伏安特性曲线的描述。 正向电压VF 是指额定正向电流下器件二端的电压降，这个什既与材料的禁带宽度有关，同时也标识了P-N结的体电阻与欧姆接触电阻的高低。VF的大小一定程度上反映了电极制作的优劣。相对于20毫安的正向电流，红黄光类LED的VF值约为2伏，而GaN基兰绿光类LED器件的VF值通常大于3伏。反向漏电流IR是指给定的反向电压下流过器件的反向电流值，这个值的大小十分敏感于器件的质量。通常在5伏的反向电压下，反向漏电流应不大于是10微安，IR过大表明结特性较差。反向击穿电压是指当反向电压大于某一值时，反向漏电电流会急剧增大，反映了器件反向耐压的特性。对一个具体器件而言，漏电流大小的标准有所不同，在较为严格的情况下，要求在规定电压下，反向漏电流不大于10微安。 除了电学特性，还需采用一系列的光学参数来描述LED器件的性能，其中较为重要的参数为器件的峰值波长与光强。可见光属电磁波范畴，通常可以用波长来表达人眼所能感受到的。可见光的辐射能量，一般可见光的波长范围在380nm—760nm之间，波长越长，其相应的光子能量就越低，光的颜色也显得越红，当光子的波长变短时，光将逐渐由红转黄，进而变绿变兰，直至变成紫色。对于一个LED器件，其所发的光会在峰值λP处有所展开，其波长半宽度通常为10—30nm，半宽度越越小，说明LED器件的材料越纯，性能越均匀，晶体的完整性也越好。光强是衡量LED性能优劣的另一个重要参数，通常用字母Iv来表示。光强的定义是，光在给定方向上，单位立体角内发了1流明的光为1烛光，其单位用坎德拉（cd）表示。其关系可用公式（6-1）表征： Iv=dφ/dΩ （6-1） 式中φ的单位为流明，Iv的单位即是cd，dΩ是单位立体角，单位为度。一个超亮LED芯片的法向光强一般在30—120mcd之间，封装成器件后，其法向光强通常要大于1cd. 光通量是判别LED发光效率的一个更为客观的参量，它表示单位时间内电发光体发出的光能的大小，单位为流明（lm）。通常白炽灯与荧光灯的光效分别为15lm/w与60lm/w，灯泡的功率越大，光通量越大。对于一个性能较高的LED器件，光效为20lm/w，实验室水平也有达到100lm/w的。为使LED器件更快地用于照明，必须进一步提高LED器件的发光效率，估计10年后，LED的光效可达200lm/w。届时，人类将会迎来一个固态光源全面替代传统光源的新时代。 12、哪些产业是LED产业链的构成部分？ LED产业链大致可以分为五个部分。一、原材料。二、LED上游产业，主要包括外延材料和芯片制造。三、LED中游产业，主要包括各种LED器件和封装。四、LED下游产业，主要包括各种LED的应用产品产业。