第二章氧化总结.ppt

P掺杂浓度对氧化速率的影响 现象：低温下掺P的氧化速率增大明显，高温下增大消失。 解释：线性速率常数B/A在低温和起始氧化时起主导主要。 2.4.2 影响氧化速率的其它因素 ③水汽 干氧中，极少量的水汽就会影响氧化速率； 水汽会增加陷阱密度。 水汽来源：Si片吸附；O2；外界扩散；含氯氧化中氢与氧反应。 ④钠 钠以NaO的形式进入SiO2中，非桥键氧增加，氧化剂的扩散能力增加。 Na来源：管道、容器等；化学药品；人体； ⑤氯 氯的作用：固定重金属、Na+等杂质；增加Si中的少子寿命；减少SiO2中的缺陷；降低界面态和固定电荷密度；减少堆积层错。 掺Cl对速率常数B的影响：使B明显增大；掺Cl对速率常数B/A的影响：低浓度时增加明显，高浓度时饱和 机理：4HCl+O2 2H2O+2Cl2 掺氯对氧化速率的影响 2.5 热氧化的杂质再分布 2.5.1 杂质的分凝与再分布 分凝系数 m=杂质在Si中的平衡浓度/杂质在SiO2中的平衡浓度 B：0.1-1； P、As、Sb: 10； Ga：20 ； 四种分凝现象：根据m1、m1和快、慢扩散 （a)m1、 SiO2中慢扩散：B (b)m1、 SiO2中快扩散：H2气氛中的B (c)m1、 SiO2中慢扩散：P (d)m1、 SiO2中快扩散：Ga 2.5 热氧化的杂质再分布 2.5.2 再分布对Si表面杂质浓度的影响 影响Si表面杂质浓度的因素： ①分凝系数m ②DSiO2/DSi ③氧化速率/杂质扩散速率 1. P的再分布（m=10） CS/CB：水汽干氧 原因：氧化速率越快，加入 分凝的P越多，且P是慢扩散； CS/CB随温度升高而下降:P向Si内 扩散的速度加快。 2. B的再分布（m=0.3） CS/CB：水汽干氧 CS/CB随温度升高而升高。 原因：扩散速度随温度升高而提 高，加快了Si表面杂质损 耗的补偿。 改正：图2.23中纵坐标CB/ CS应为 CS/CB 2.5 热氧化的杂质再分布 2.6 薄氧化层 ULSI工艺中，栅氧化层小于30nm； D-G模型：当厚度小于30nm时，对干氧氧化不准确（对干氧氧化速率估计偏低）； 对水汽氧化精确。 2.6.1 快速初始氧化阶段 干氧氧化：有一个快速 的初始氧化阶段，即 x0*=(23±3)nm t*＝(A/B)x0* 氧化机理：目前尚不完全清楚。 湿氧和水汽氧化：t*＝0 2.6.2 薄氧化层的制备 ULSI对薄氧化层的要求： ①低缺陷密度；②抗杂质扩散的势垒特性；③低界面态密度和固定电荷；④热载流子和辐射稳定性。 解决方法： 1.预氧化清洗：RCA工艺（标准清洗工艺） ①H2O-H2O2-NH4OH:去除有机沾污及Ⅰ、Ⅱ族金属沾污 ②HF：漂洗① 中产生的SiO2 ③H2O-H2O2-HCl:去除重金属杂质 2.6 薄氧化层 2.改进氧化工艺：高温（900℃）快速氧化 界面态、固定电荷、氧化层陷阱随温度升高而减少； 提高了载流子迁移率、抗辐射、抗热载流子效应的能力，改进了可靠性。 3.化学改善氧化工艺：引入Cl、F、N2、NH3、N2O ① N2、NH3、N2O的作用： N2（NH3、N2O）+ SiO2 → Si2N2O ∵Si-N键比Si-H键强度大 ∴可抑制热载流子和电离辐射缺陷； N2O基工艺的优点：工艺简单；无H。 ②F的作用：填补Si-SiO2界面的悬挂键，抑制热载流子和电离辐射产生的缺陷；可使界面应力弛豫。 2.6 薄氧化层 4. 多层氧化硅： SiO2/SiO2，SiO2/Si3N4，SiO2/HfO2 ， SiO2/Si3N4/SiO2； ①采用CVD法淀积SiO2、Si3N4、HfO2 优点：不受Si衬底缺陷影响；低温； ②缺陷密度明显减少 原因：各层缺陷不重合 ③Si-SiO2界面的应力接近零 原因：各层间的应力补偿 ④增加了薄膜的ε，提高了抗B透入能力。 2.6 薄氧化层 2.7 Si-SiO2界面特性 （参考史宝华著《微电子器件可靠性》，西电出版社） SiO2内和Si-SiO2界面处，存在四种界面电荷 ①可动离子电荷：Qm(C/cm2),正电荷，如Na+、K+； ②氧化层固定电荷：Qf(C/cm2)，正电荷，如Si+、荷正电的氧空位； ③界面陷阱电荷：Qit(C/cm2)，正或负电荷，如Si的悬挂键； ④氧化层陷阱电荷：Qot(C/cm2),正或负电荷。 界面电荷的危害：在Si表面感应出极性相反的电荷， 影响MOS器件的理想