X射线光电子能谱(XPS)讲课.pptVIP

* * * * X-ray Photoelectron Spectrometer Analysis of Materials for Solar Energy Collection by XPS Depth Profiling- The amorphous-SiC/SnO2 Interface The profile indicates a reduction of the SnO2 occurred at the interface during deposition. Such a reduction would effect the collector’s efficiency. Photo-voltaic Collector Conductive Oxide- SnO2 p-type a-SiC a-Si Solar Energy SnO2 Sn Depth 500 496 492 488 484 480 Binding Energy, eV Data courtesy A. Nurrudin and J. Abelson, University of Illinois Small area analysis and imaging Small area analysis and imaging Small area analysis and imaging * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 如稀土金属(4f轨道上有未成对电子存在)的4s能级表现有强的分裂。 过渡金属3d轨道上有未成对电子存在的3s能级表现有强的分裂。 因此利用s能级的多重分裂现象可以研究分子中未成对电子的存在情况。 (2). 多重分裂(静电分裂) (2). 多重分裂(静电分裂) (3). 多电子激发 如果价壳层电子跃迁到更高能级的束缚态，则称之为电子的震激(Shake up)。 如果价壳层电子跃迁到非束缚的连续状态成了自由电子，则称此过程为电子的震离(Shake off)。 震激和震离的特点是它们均属单极激发和电离电子激发过程只有主量子数改变，跃迁发生只可能是ns→n′s np→n′p，电子的角量子数和自旋量子数均不变因此有ΔJ = ΔL = ΔS = 0。 3p 3s 2p 3p 3s h? h? 正常光电离 震离 3d h? h? 正常光电离 震激 3d 2p (3). 多电子激发 震离和震激示意图 震激还是震离均消耗能量这将使最初形成的光电子动能下降。对震激谱的研究可获得原子或分子内弛豫信息，同时震激谱的结构还受到原子化学环境的影响，它的表现对研究分子结构是很有价值的。 Cu (II) Shake-up Peaks A feature for the identification of Cu (II) Final State Effects- Shake-up/ Shake-off Ni Metal Ni Oxide Eb ?hv - Ek- ? 结合能Eb的参考基准 对孤立原子或分子，Eb就是把电子从所在轨道到真空需的能量，是以真空能级为能量零点的。 对固体样品，必须考虑晶体势场和表面势场对光电子的束缚作用，通常选取费米(Fermi)能级为Eb的参考点。 Binding Energy Referencing Eb= hv - EK - Фspec- Ech Where: Eb= Electron Binding Energy EK = Electron Kinetic Energy Ф spec= Spectrometer Work Function Ech= Surface Charge Energy Ech can be determined by electrically calibrating the instrument to a spectral feature. C1s at 285.0 eV Au4f7/2 at 84.0 eV 三、XPS谱的一般特性（General Feature） 光电发射过程的三步模型： (I). 吸收和电离初态效应； (II). 原子响应和光电子产生终态效应； (III). 电子向表面输运并逸出外禀损失。 1. XPS 谱图 O 1s O because of Mg source C Al Al O 2s O Auger 光电子谱线(photoelectron lines) 强度 峰宽 对称性。金属中的峰不对称性是由金属EF附近小能量电子-空穴激发引起，即价带电子向导带未占据态跃迁不对称度正比于费米能级附近的电子态密度。 化学位移 化学位移与原子上的总电荷有关（电荷