半导体工艺简介及市场概况讲课.ppt

酸蚀刻要使用到多种酸剂，例如：腐蚀SiO2需要用氢氟酸；去除光刻胶需要用到硫酸。 2.5 清洗甩干 Spin Rinse Dry 晶园本身很脆而且易碎。所以在半导体厂使用真空吸盘来抓取晶园。 几乎在每一步的操作后，都需要对晶园进行清洗。清洗晶园采用的物质通常是： DI Water (去离子水) 用于清洗。 高纯度的氮气，用于吹干晶园。 2.6 去胶——等离子体浴 Ashing 等离子体浴通常在蚀刻之后去除残留在晶园表面的光刻胶。 对于不同层次的光阻移除，采用的等离子体是不一样的。 例如：硅、硅化物、金属导线等等。 另外，在去除光阻止后，通常还需要有一步清洗，以保证晶园表面的洁净度。 2.7 金属蚀刻 Metal Etch 金属蚀刻用于制作芯片中的金属导线。 导线的形状由Photo制作出来。 这部分工作也使用等离子体完成。 2.8 薄膜生长 金属沉积 Metal Deposition 铜制程沉积 Copper Deposition 化学气相沉积 Chemical Vapor Deposition Metal Deposition 一般来说，采用Physical Vapor Deposition (PVD；物理气相沉积)的方法制作金属薄膜。 这里面的金属薄膜包括：Aluminum(铝), Gold (金) and Tungsten(钨)。 金属层用于在半导体元器件中制造通路，当然，离不开Photo的配合。 Copper Deposition 通常，半导体器件中的导线采用的是铝。 铜导线比铝导线具有更多的优越性。 铜导线电阻比铝导线小40%，这样采用铜导线的器件要快15%。 铜导线不易因为ESD而导致器件破坏。它能够承受更强的电流。 采用铜导线的困难： 当铜和硅接触的时候，会在硅中发生非常快速的扩散。 这种扩散还将改变制作在硅上面半导体三极管的电学特性，导致三极管失效。 IBM最终克服了这些困难(Damascene)： 采用先做绝缘层，再做铜导线层的方法解决扩散问题。 在制作铜导线层的时候，IBM采用一种铜的多晶体，进一步限制铜在硅中的扩散。 Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积(CVD)，和PVD相比较，主要是在沉寂薄膜的时候还伴随着化学反应的发生。 针对不同的薄膜，要采用不同的化学物质来做化学气相沉积。 2.9 离子注入 Ion Implant 和前述的制程不一样，离子注入不制作出新的层次，它仅仅改变晶园上某个区域的电学特性。——变为P型或者N型半导体。 离子注入制造 PN结，半导体中最基本的单位。 改善三极管集电极和发射极之间的导通性。 第3部分后封装 3.1 电性测试 Probe Test 电性测试 半导体芯片制作工厂交付使用的产品是晶园本身。在出货之前，需要对晶园上的每一个芯片做电性测试。 良率 通常晶园上的芯片不会每一个都是可以工作的，测量所得的“可用芯片数/总芯片数”之值就是所谓“良率”(Yield)。通常只有良率达到一定值时才可以出货。 由于这种测试使用探针，所以又被称为Probe Test (探针测试) Wafer back-side grinding Die sawing Epoxy paste Die attach Wire bonding Molding Introduction of the Semiconductor Packages and Assembly Assembly Processes (2) 3.2 晶园切割 Wafer Die Cut 在晶园电性测试之后，出货到封装厂，后封装的工作真正开始。 封装厂会将晶园切割成一个个小的芯片，一般在晶园上留给封装厂切割的空间只有80um。 然后需要把电性不良的芯片排除在外。 3.3 引线 Wire Bonding 接着，封装厂会在切割下来的芯片上焊接上引线。 这种引线的直径大约在人头发的1/3，约30um左右。 引线接在芯片设计时留出的接线管脚上。任何引线之间的连接(Bridge)都将是致命的。 引线制作 3.4 封装 Packaging 晶园切割、引线之后就是封装。 封装之后，我们就见到了真正产品——芯片。 集成电路生产工艺 高压硅堆产品简要生产工艺流程 硅桥式整流器生产工艺流程 五 半导体市场 市场规模的发展 应用领域的发展 半导体技术的发展 世界格局的发展 1 市场规模的发展 自1947年贝尔实验室的第一只晶体管发明以来，半导体产业经历了集中的增长。 从增长速度来看，世界半导体市场1976-1985年间的年均增长率曾高达26%，1985-1995年间为18%，而1995-2004年间则降到了8%，已进入了个位数增长的时代。进入21世纪后，年均