2-3-4拉普拉斯方程-镜像法浅析.ppt

考虑球面上任一点P（如图） 即对球面上任一点，应有 只要选Q’的位置，使ΔOPQ~ΔOQ’P即可，此时 * 球外任一点P的电势为： * 物理结果讨论： 根据高斯定理，收敛于球面的电通量为?Q’。Q’为球面的总感应电荷，它是受电荷Q的电场的吸引而从接地处传至导体球上的。 然而|Q’|Q，由电荷Q发出的电场线只有一部分收敛于球面上，剩下的一部分发散至无穷远处。 * 例3 如上例，但导体球不接地而带电荷Q0，求球外电势，并求电荷Q所受的力。 * * 这里给出的条件为： （1）球面为等势面（电势待定）； （2）从球面发出的总电通量为Q0。 在球内放置与上例相同的假想电荷Q’（电势为零），在球心处再放一个假想电荷Q0－Q’（球面等势），就可同时满足上面两个条件。 解 * 球外任一点P 的电势为 因此电荷Q所受的力等于Q’和球心处的电荷Q0－Q’对它的作用力F， * 过渡到点电荷相互作用模型 吸引力， 趋于消失 R0 ?0 物理结果讨论： * a?R0 即使Q和Q0同号，只要Q距球面足够近，就受到导体的吸引力。 原因：虽然整个导体的电荷与Q同号，但在靠近Q的球面部分出现异号电荷。从而相互吸引起主要作用。 吸引力起主要作用 （数值大于第一项） 注意： 1. 镜像法不仅可以计算导体边界的情况，也可以计 算绝缘介质分界面的情况。 2. 镜像电荷的位置由边界面的形状决定，所以各种 边界情况下的镜像电荷位置应该记住，以后不必重新推导。 3. 镜像电荷的电量由边界面的形状、介质的性质及 给定电荷的电量有关，要根据边界条件及边值关系确定。 4. 给定电荷与镜像电荷互为镜像。 5. 一个电荷的镜像电荷可能不止一个。 * Q Q -Q -Q Q 当 n为整数时，像电荷的总个数为（2n-1) * 解: 设ε1 中电势的 ，ε2中的电势为 ，并满足如下定解条件： 例 4 设电容率分别为ε1和ε2的两种均匀介质，以无限大平面为界。在介质1中有一点电荷Q，其所在位置距分界面为a，求空间电势分布。 Q 介质1 介质2 h -h Q’ x * 处理问题的方法是： a) 求 空间的电势 时，设想将 半空间换成与 半空间一样，而以假想的电荷Q来代替分 界面上极化电荷对 半空间的场的影响； b) 求 半空间的电势 时，设想将 半空间换成 半空间一样，而以假想的电荷Q来代替Q和分界面上的极化电荷对 半空间场的影响。 由此可见： * x x S S 右半空间 左半空间 a c b Q Q Q r r r R o o P(x,y,z) y y 换成 P 换成 R θ 在x0的区域，空间一点的电势为 * 在x0的区域，空间任一点的电势为 由(5)式得 * 即有 故得 再根据电荷守恒守律： Q=Q+Q (9) 将(9)式代入(8)式，即有 * 要使该式成立，必有 b=c=a (10) 再根据（4）式，则有 * 即 从而得到： 由此可见： * 故最终得到 x0区域电势为： x0区域电势为： * * 根据唯一性定理要求的条件求解电磁场泊松方程边值问题； 在求解区域之外引入像电荷取代感应电荷(或极化电荷），保持求解区域电荷分布不变； 引入镜像电荷，不改变求解区域边值关系和边界条件。 1、镜像法的基本要领 四、总结与讨论 * 两种方法都是根据边值关系和边界条件进行求解； 可解的条件都是唯一性定理所要求的分区均匀介质和边界条件。 2、与分离变量法比较 共同点： * 不同点： 分离变量法 镜像法 电荷分布 求解区域没有（或者经过变换没有）自由电荷分布 求解区域有一个或者几个自由点电荷 具体方法 分离变量求解拉普拉斯方程 求解区域之外引入像电荷取代感应电荷 * 从前两节的例子可以看出，边值关系和边界条件对于求解电场问题具有重要性作用。边界条件大致有一下几种类型： 1、两绝缘介质界面上，边值关系为 2、给出导体上的电势，导体面上的边界条件为 3、边界条件总结 3、给出导体所带总电荷Q，在导体面上的边界条件为 * 应用上述边界条件可以唯一地求出静电场。应用导体的另一边界条件，可以得出导体表面的自由电荷密度。 本章的基本问题： 具体的工作： 电场由电势描述； 电势满足泊松方程+边界条件。 解泊松方程 只有在界面形状是比轻简单的几何曲面时，这类问题的解才能以解析形式给出，而且视具体情况不同而有不同解法。 本节和以下几节我们研究几种求解的解析方法。 §2.3 拉普拉斯方程 分离变量法 * 例如： ① 电容器内部