3.1.3二次电子发射的基本原理.pptVIP

International Photonics Laboratory * 第三章 内光电效应探测器件 * 本章学习要求： 1.掌握光电效应基础理论和基本概念 2.掌握光生伏特器件的结构、原理及其应用 3.掌握光电导器件的结构、原理及其应用 4.了解新型光半导体探测器件 5.掌握典型的偏置电路和信号处理电路 * 3.1 基础理论和基本概念 3.1.1 能带理论 3.1.2 光电效应 3.1.3 二次电子发射的基本原理 * 原子物理指出，自由原子中的电子具有的能量状态不是任意的，电子只能存在在一定的能级上。能级通常用能带图表示，能带分为价带、禁带和导带。 对于绝缘体、半导体和金属，能级差别只是禁带宽度(带隙能量Eg)不同。 3.1.1 能带理论 * 金属：不存在禁带，导带和价带交织在一起，电子可以连续过渡，因而导电性能强。 绝缘体：禁带宽度较大，在室温下由于热能激发到导带中的电子很少，因此导电性能很差。 半导体：禁带宽度较小，介于金属和绝缘体之间，室温下由于热运动总有一部分电子从满带跃迁到导带，形成电子空穴对。如果外加电场，电子空穴对载流子沿着电场方向漂移运动，形成电流输出。 3.1.1 能带理论 * 在纯半导体材料中掺入不同杂质生成P型和N型半导体。掺入杂质后，在原先的价带和导带之间产生一些孤立的附加级。 附加能级的位置则决定于杂质原子的性质: 在4价硅中掺入少量5价的磷，则构成N型半导体； 在4价硅中掺入少量3价的硼，则构成P型半导体。 3.1.1 能带理论 半导体材料的能带图 * 半导体光电发射可以用电子亲和势来描述。如图所示，电子亲和势（电子结合能）EA指的是导带底上的电子向真空逸出时所需的最低能量，数值上等于真空能级 与导带底能级EC之差。即： 此时电子亲和势就等于能量阈值。那么半导体材料中电子从价带顶逸出产生光电发射所需的能量阈值，就是真空能级与价带顶能级之差。 3.1.1 能带理论 半导体光电发射体的简化能带模型 * 电子亲和势是表征半导体材料发生光电效应时，电子逸出的难易程度。电子亲和势越小，就越容易逸出。 采用一些特殊工艺，使得有效的电子亲和势变为负值，则大大降低光电发射阈值，提高材料的量子效率，这种材料称为负电子亲和势的半导体材料。 3.1.1 能带理论 如果电子亲和势为零或是负值，则意味着电子处于随时可以脱离状态，变成自由电子，这样用电子亲和势为负值的材料制作的光电阴极，由于光子易于激发到表面逸出，因此灵敏度就高。 * 从能带图可以看出，由于能带弯曲，表面的电位相对于体内降低了Ed，因此电子在表面附近受到耗尽层内建电场作用容易到达表面，电子只需克服EA1就能逸出表面，此时由于光的入射产生的光电子只需克服有效电子亲和势为： 适当控制掺杂浓度，就有可能使Ed＞EA2，EAef＜0。 3.1.1 能带理论 E0 EC2 EV2 耗尽区 表面：N型 : EA1 EA2 Ed 负电子亲和势能带模型 * 3.1.2 光电效应 当光作用到物质表面时，与光电材料中的电子相互作用，改变了电子的能量状态，从而引起各种电学参量变化，这种现象统称为光电效应。 内光电效应:受到光照射的物质内部电子能量状态发生变化，光子激发产生的载流子仍保留在材料内部，不存在表面发射电子的现象，包括光电导效应和光伏效应。 外光电效应:物质在光辐射作用下，被光激发产生的电子逸出物质表面的现象。 光电效应又分为内光电效应与外光电效应两类。 * 外光电效应 当光子入射到光阴极面上时，处于价带中的电子吸收光子能量而被激励，向表面扩散，扩散到表面的电子，越过真空位垒成为光电子发射到真空，完成由光子转变为电子的光电发射。 3.1.2 光电效应 从半导体能级图可以看出，价带和导带之间有一禁带(禁带宽度－带隙能量Eg)，半导体电子不能存在于禁带区域，导带与真空能级之间形成电子亲和势(EA)。 * （1）斯托夫定律 当入射光的频谱成份不变时(同一波长的单色光或者相同频谱的光线)，光电阴极的饱和光电发射电流Ik与被阴极吸收的入射光的光通量φ成正比： 3.1.2 光电效应 只要测出光电发射的阴极的电流Ik以及入射到光阴极的光通量φ，就能求出光电阴极光照灵敏度。 SK：表征光电发射灵敏度的系数(光电阴极的光照灵敏度)。 * （2）爱因斯坦定律 爱因斯坦定律阐明了发射光电子的最大动能E与入射光频率v (或波长λ)和光电发射材料逸出功(W)之间的关系。发射光电子最大动能与光的强度无关，而随入射光频率的提高而线性增加： 3.1.2 光电效应 V表示光电子的速度，h是普朗克常数。 * 从