第4章薄膜的制备汇编.ppt

方向由起偏器决定，转动起偏器可改变偏振光的偏振方向。 此线偏振光经过四分之一波长片后变为椭圆偏振光，该偏振 光经过样品反射后通常仍为椭圆偏振光，但椭圆率和长短轴 的方位变了。对于厚度一定的薄膜，转动起偏器可使发射后 的光变为线偏振光。这时，转动检偏器，可找到消光状态。 在消光状态下，一定的膜厚对应一定的起偏器方位角P和检 偏器方位角A。测量时，只要读出P和A的值，就可以计算 出膜厚和折射率，椭偏光仪还可以用来检验膜厚均匀性、鉴 别膜层的成分，测量材料的消光系数等。 （2）氧化膜缺陷的检测 膜厚不均匀，膜层表面颜色一致就说明膜厚均匀，若颜 色有较明显的变化，则说明膜厚不均。二氧化硅膜厚度不均 匀会影响其杂质掩蔽功能、使绝缘性变差等。氧化炉内的氧 气或水汽不均匀、炉温变化不定以及恒温区太短等都是造成 膜厚不均的原因。要得到厚度均匀的氧化层，必须有长而温 度的恒温区，对氧化气体的流量、炉温都要严格控制。 表面斑点，斑点一般肉眼无法看到，要通过显微镜观 察。产生表面斑点的原因一般有：wafer表面清洗不 彻底，残留了一些杂质颗粒，这些杂质在高温下粘附在二 氧化硅膜表面形成斑点；石英管在高温下工作时间过长， 脱落的颗粒落在wafer表面，出现斑点；wafer清洗后水 迹未干、湿氧过程中有水滴落在wafer上，都会使二氧化 硅膜表面出现斑点。为了避免斑点的出现，要仔细清洁 wafer表面、清洗石英管、严格控制水温以及氧气流量。 针孔，针孔会破坏氧化膜的杂质掩蔽能力，会造成器 件漏电流增大，甚者会使器件击穿而失效。由于wafer抛光效果不好，存在严重位错，在位错处不能形成二氧 化硅，于是产生针孔。针孔对器件的危害很大，且不易发 现，因此要采用化学腐蚀法、电解染色法、阳极氧化法以及 电解镀铜法等方法检验它。为了消除针孔，应严格选择衬底 材料，表面应平整、光亮，而且要加强清洁。 钠离子污染，钠离子主要来源于生产环境。去离子水直 接接触晶圆，水质直接影响表面质量。钠离子的含量可由水 的电阻率来表征，要求25℃时水的电阻率高于18MΩ。在 高温下，钠离子会穿过石英管管壁进入氧化炉内，影响氧化膜的质量，因此生产上用的都是双层管壁的石英管。 化学气相淀积 淀积是指在wafer上淀积一层膜的工艺，淀积薄膜的工 艺有很多种，化学气相淀积、物理气相淀积、蒸发等很多。 化学气相淀积（CVD）是通过气态物质的化学反应在 wafer表面淀积一层固态薄膜的工艺。CVD法淀积薄膜可 用以下几个步骤解释薄膜的生长过程：参加反应的气体传输 到wafer表面；反应物扩散至wafer表面并吸附在其上； wafer表面发生化学反应，生成膜分子和副产物；膜分子沿 wafer表面向膜生长区扩散并与晶格结合成膜；反应副产物 随气流流动至排气口，被排出淀积区。 化学气相淀积根据反应气体压力可分为常压化学气相淀 积（简称APCVD）、次大气压化学气相淀积（简称 SACVD）、低压化学气相淀积（简称LPCVD）、超低压 化学气相淀积（简称ULPCVD）。 若按反应激活方式来分，有热活化式CVD、等离子体 增强CVD以及光量子CVD。 1.常压化学气相淀积系统 APCVD是指在大气压下进行的一种化学气相淀积的方 法，这种工艺所需的系统简单，反应速度快，并且淀积速率 可超过10000埃/min， 特别适于介质积，但是它 的缺点是均匀性较差，气 体消耗量大，且台阶覆盖 能力差，所以，APCVD一般用在厚的介质淀积，常用来淀 积用于层间绝缘、表面平坦化等功能的氧化膜。 2.低压化学气相淀积系统（LPCVD） 低压CVD就是将反应室内的压强降至0.1～5 Torr， 反应温度介于300～900℃。相对APCVD来讲，LPCVD 系统成本更低、产量 更高、淀积的薄膜性 能更好，因此应用更 广泛。 LPCVD经常用 于多晶硅和氮化硅膜的淀积 。 3.等离子体增强型淀积（PECVD） PECVD是一种射频辉光放电的物理过程和化学反应相 结合的技术，是在LPCVD的基础上增加了高频电场，使气 体电离形成由光子、电子、受激分子和原子构成的等离子 体。带电粒子在电场的作用下能量提高加速运动，与反应气 体不断碰撞，使反应气体电离或被激活成为活泼的活性基 团，很容易成膜。 等离子体带来的好处有：工艺温度低；对深宽比高的沟槽填充好；制备的薄膜与硅片之间粘附性好；淀积 速率高；膜的致密性高等。所以，比较适合淀积热稳定性差 的材料。 PECVD主要生长用于钝化和多层布线电介质的氮化