6 半导体二极管及其应用电路;半导体分为本征半导体、N 型半导体和P型半导体。; 6.1.1 本征半导体; 6.1.1 本征半导体;6.1.1本征半导体;本征硅晶体的结构示意图;空穴等效为一个带正电荷的粒子,其电荷量与电子相同。 ; 按掺入杂质的性质不同,分N型半导体和P型半导体,统称为杂质半导体。 ;6.1.3 P型半导体;6.2.1 PN结的形成;6.2.2 PN结的单向导电性;2.外加反向电压 ;3.PN结的伏安特性;6.2.3 PN结的电容效应;2.扩散电容;6.2.4 PN结的反向击穿;反向截止区;6.3 半导体二极管(Diode);6.3.2 二极管的伏安特性;6.3.2 二极管的伏安特性;6.3.2 二极管的伏安特性;4.二极管的温度特性;6.3.3 二极管的主要参数 ;6.4 二极管电路分析方法 ; ;(b);当 时,;6.4.2 小信号模型法; 在静态工作点附近,二极管的交流电流与交流电压成正比,可用一个电阻模拟其特性: ;例6.3试求图中二极管的交流电流和交流电压, 已知 V。; 当信号频率小于二极管的最高工作频率时,PN结的电容效应不明显,二极管等效为一个动态电阻。 ;6.4.3 分段线性模型法;2.恒压降模型;3.折线模型;例6.4 已知二极管的伏安特性曲线如图中(a)的粗实线所示,
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