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晶体生长动力学
基础知识;晶体生长动力学;;晶面生长速率之比对晶面相对大小的影响;生长速度快的晶面在成长过程中被淹没而消失;4.但若两相邻晶面以锐角相交,则不论它们的生长速率之间关系如何,晶面永远不会消失。
;面网密度: ABCDBC
对质点的引力:1 2 3
BCCDAB;结论;2.1.2 周期键链理论(PBC)-由键合能大小决定晶面生长速率; VFVSVK
K面是易于消失的晶面。晶体生长的最终形态多为F面包围,其余的为S面。;2.2外因-环境相对晶体形态影响
2.2.1溶剂的影响
;2.2.2环境相成分的影响
钇铁石榴石晶体从富Y2O3的助熔剂中生长,晶体形态主要
为{ 110 }单形,但从富Fe2O3的助熔剂中生长,晶体形态中显著
的突出为{211}单形。;3.晶体生长速度对实际晶体的影响;二.晶体生长的输运过程;(2)质量输运
扩散 通过分子运动实现
对流 通过溶解于流体中的物质质点,在流体宏
观运动过程中被流体带动并一同输运。
(3)动量输运 对流
Ⅰ自然对流 完全由重力场引起的流体流动
热对流 受容器的几何形状、热流与容器的相对
取向、热流与重力场的相对取向、熔体及其边界
性质的影响
溶质对流
Ⅱ强迫对流
生长晶体时,由于晶体的驱动或包围晶体的流体的旋转,
均可产生强迫对流。
;2.边界层;流体的强迫对流可以减小边界层的厚度,有利于提高晶
体生长速率,但强迫对流有可能增加流体的不稳定性,而
使溶质边界层厚度变得不均匀,会促成晶体生长条纹等
缺陷的产生。;导致界面不稳定的因素主要有
1.过小的温度梯度
2.太快的生长速率
3.太多的溶质(对熔体生长而言)或
太多的溶剂(对溶液生长而言);完整光滑面(相当F面);1.完整光滑面理论模型;新原子成键所释放的能量顺序:(3)(2)(5)(1)(4)(6);;;3.粗糙界面理论模型 ;;五 晶体生长界面动力学;完整光滑面的生长取决于两个因素:
1.二维晶核的成核率I
2.二维晶核的台阶横向扩展速度V.;2.非完整光滑面的生长;3.粗糙界面的生长;生长驱动力;谢 谢 大 家!
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